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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-20 15:30 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機）  ED2015-119 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して電磁界解析による調査を行った結果、共振周波数の計算値はユニットセルトランジスタの発振周波数の実測値と良好に一致した。算出された共振状態の電界はトランジスタの中央フィンガーを中心として反対称に分布しており、奇モード発振がユニットセル内でも起こることでミリ波発振が生じることが判明した。 またトランジスタの各ソース電極の先端同士を接続することによって、奇モードの共振が抑制されるという解析結果を得た。ソース電極先端を接続したユニットセルトランジスタを試作した結果、利得等の各性能を維持したまま発振を抑制できた。 |
| （英） | A millimeter wave oscillation was observed in GaN HEMT unit cell. To prevent this oscillation, we performed electromagnetic field analysis for HEMT. Calculated resonant frequency corresponded to measured oscillation frequency. Estimated electromagnetic field of resonant state distributes anti-symmetrically with respect to a center finger, and this result of our analysis clearly shows that the millimeter wave oscillation results from odd mode oscillation in the unit cell. Additionally, this analysis suggested that connection of edges of each source electrodes prevents the odd mode resonance. We fabricated HEMT TEG with connected edges of source electrodes, and the oscillation was successfully prevented maintaining the performance. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / 発振 / 電磁界解析 / / / / |
| （英） | GaN / HEMT / Oscillation / Electromagnetic field analysis / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-119, pp. 43-48, 2016年1月. | |
| 資料番号 | ED2015-119 | |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-01-20 - 2016-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-01-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Millimeter Wave Oscillation in GaN HEMT Unit Cell |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 発振 / Oscillation |
| キーワード(4)（和/英） | 電磁界解析 / Electromagnetic field analysis |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 伸介 / Shinsuke Watanabe / ワタナベ シンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 翔平 / Shouhei Imai / イマイ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata / クワタ エイゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama / コヤマ ヒデトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 佳嗣 / Yoshitsugu Yamamoto / ヤマモト ヨシツグ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-20 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-119 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.402 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) |
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