講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-01-20 15:05
[依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀(富士通研) ED2015-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-118 |
抄録 |
(和) |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEMTを用いることで、300GHzで23dBの利得を持つICを実現した。このInP HEMTのICは多層配線構造を持つが、ゲート電極の周辺に空洞構造を適用することで寄生容量を低減し、遮断周波数(fT)および最大発振周波数(fmax)を向上させた。特に多段の増幅器を動作させるためには、電力利得すなわちfmaxが高いことが重要である。エピ構造やデバイス構造の最適化を行い、fmaxで660GHzを達成した。さらなるデバイス構造の改善より、fmaxを向上できる見込みを得た。 |
(英) |
High performance THz receivers should be required to realize high-speed wireless radio communications systems for increased data transmission. We developed THz ICs that have a power gain of 23 dB at 300 GHz band by utilizing high-speed InP-based HEMTs. The HEMT improved both cutoff frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fmax) by adopting a cavity structure around the gate region to decrease parasitic capacitances even though they are fully passivated with dielectric films after multilayer interconnections. Mostly, the fmax, i.e. power gain, is important for operating multi-stage amplifiers. We achieved an fmax of 660 GHz after modifying epitaxial layer and device structures. Further improvement in fmax was expected by employing modified device structure. |
キーワード |
(和) |
InP HEMT / テラヘルツ / 寄生容量 / 空洞 / 遮断周波数 / fmax / 利得 / ドレインコンダクタンス |
(英) |
InP HEMT / THz / parasitic capacitance / cavity / cutoff frequency / fmax / gain / drain conductance |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-118, pp. 37-41, 2016年1月. |
資料番号 |
ED2015-118 |
発行日 |
2016-01-13 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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