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| 講演名 | 2016-01-28 11:00 ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研）  SDM2015-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-122 |
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| 抄録 | （和） | Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsとほぼ同じであることが分かった。さらに、pTFETsのNBTI劣化は、n+ソース/ゲートエッジ近傍のトンネル領域に位置するトラップ電荷及び界面準位劣化によって引き起こされることを明らかにした。n及びp型TFETsのBTIに関して、PBTI及びNBTIを引き起こすキャリアの注入源は異なるが、動作状態に相当するドレインバイアス印加することにより、n及びp型TFETsのBTI寿命は共に改善する。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | p型トンネルFETs / NBTI / 活性化エネルギー / トラップ / 界面準位 / / / |
| （英） | p-type Tunnel FETs / NBTI / Activation Energy / Traps / Interface State / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-122, pp. 9-12, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-122 | |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-122 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-122 |
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