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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-28 10:55 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 ○只野翔太郎・金子貴晃・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 |
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| 抄録 | （和） | 長波長帯トランジスタレーザ（TL）は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モードの設定が可能である。今回、TLの3端子静特性として、ベース接地においてコレクタ/ベース電圧VCBの印加により光出力が制御可能であることを確認した。また、エミッタ接地、ベース接地共に発振しきい値後の誘導放出に伴うコレクタ電流の増加量の抑制を観測することに成功した。そして、p-GaInAsPベース層の薄膜化によりベース層内での不要な再結合を抑制し、電流利得βの向上に成功した。 |
| （英） | Since a long-wavelength transistor lasers（TL）has 3 electrical terminals, which are different from the conventional LDs, it allows to operate with several terminal configurations. In this paper, we observed output power control by the collector-base voltage VCB with common base configuration and suppression of the collector current increasing due to stimulated emission after the threshold current. We also obtained current gain β improvement by thinning the p-GaInAsP base layer thanks to suppression of carrier recombination in the p-GaInAsP base layer. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / 高速変調 / 埋め込みヘテロ構造 / トランジスタレーザ / / / / |
| （英） | semiconductor laser / high speed / buried heterostructure / transistor laser / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 433, LQE2015-138, pp. 21-26, 2016年1月. | |
| 資料番号 | LQE2015-138 | |
| 発行日 | 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE EST OPE EMT PN MWP IEE-EMT PEM |
| 開催期間 | 2016-01-28 - 2016-01-29 |
| 開催地（和） | 神戸市産業振興センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-01-LQE-EST-OPE-EMT-PN-MWP-EMT-PEM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Buried Heterostructure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 高速変調 / high speed |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込みヘテロ構造 / buried heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | トランジスタレーザ / transistor laser |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 只野 翔太郎 / Shotaro Tadano / タダノ ショウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 貴晃 / Takaaki Kaneko / カネコ タカアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 健太郎 / Kentaro Yamanaka / ヤマナカ ケンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター (略称： 東工大) QNERC, Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-28 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | PN2015-38, EMT2015-89, OPE2015-151, LQE2015-138, EST2015-95, MWP2015-64 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.430(PN), no.431(EMT), no.432(OPE), no.433(LQE), no.434(EST), no.435(MWP) |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-21 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |
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