| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-28 15:50 ［招待講演］極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET ○井田次郎（金沢工大）  SDM2015-127 |
|
| 抄録 | （和） | 極低ドレイン電圧で非常に急峻なS値を持つPN-Body Tied SOI FET構造を提案しシミュレーションと試作で検討した。SOI FETのBody Tied部にN層を挿入しPNP形バイポーラトランジスター(BIP)を構成し、そのBIPでBody部に正孔を注入しSOIの Floating body効果を起こすことで、低電圧で非常に急峻なS値を発生させることを狙った構造である。必要なドレイン電圧は0.1Vまで下がり、3桁のドレイン電流でS値=33uV/Decと非常に急峻なことを確認した。また、良好なId-Vd特性、さらには、無視しうるヒステリシス特性を示すことを確認した。 |
| （英） | We have proposed the new type super steep subthreshold slope (SS) device of the PN-body tied SOI FET. The N region is inserted on the body tied region of the SOI FET. The hole are intended to inject to the body of the SOI by the PNP bipolar transistor, which start the floating body effect and result in the appearance of the super steep SS. It was confirmed that the super steep SS appears at the ultralow drain voltage of 0.1V at 3 decades of the drain current. It was also confirmed that the device has the good Id-Vd characteristics and the negligible hysteresis characteristics. | |
| キーワード | （和） | S値 / SOI FET / Floating Bodyこうか / / / / / |
| （英） | Steep subthreshold slope / SOI FET / Floating Body Effect / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-127, pp. 31-34, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-127 | |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-127 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-01-28 - 2016-01-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET with Ultra Low Drain Voltage |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | S値 / Steep subthreshold slope |
| キーワード(2)（和/英） | SOI FET / SOI FET |
| キーワード(3)（和/英） | Floating Bodyこうか / Floating Body Effect |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Institute of Technology) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-28 15:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-127 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.440 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]