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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-03-01 17:05 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 ○吉田有佑・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2015-130 |
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| 抄録 | （和） | 近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAMでは超低電圧での動作が難しいとされている。そこで本研究では、FD-SOIデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon-on-Thin-BOX : SOTB)を用いて、スタンダードセルを組み合わせることによって実現されるスタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)の設計を行い、基板バイアス制御手法の提案と適用により低消費電力、超低電圧動作可能なメモリの検討を行う。 |
| （英） | In recent years, energy harvesting and sensor node have attracted a lot of attention. Therefore, a memory which can reduce power consumption and realizes ultra-low voltage operation is required. However, it is especially difficult for the conventional SRAM to operate at ultra-low voltage. This paper describes a design of low-power and ultra-low voltage operation Standard Cell Memory (SCM) using Silicon-on-Thin-BOX (SOTB). SOTB is one of the FD-SOI devices. We investigated the memory which can operate low-power consumption and ultra-low voltage operation by performing a body bias control. | |
| キーワード | （和） | 薄膜BOX-SOI / 基板バイアス / Standard Cell Memory / / / / / |
| （英） | Silicon-on-Thin-BOX / Body Bias / Standard Cell Memory / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 465, VLD2015-130, pp. 111-116, 2016年2月. | |
| 資料番号 | VLD2015-130 | |
| 発行日 | 2016-02-22 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2015-130 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
| 開催期間 | 2016-02-29 - 2016-03-02 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2016-02-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-power Standard Cell Memory using Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) and Body-bias Control |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜BOX-SOI / Silicon-on-Thin-BOX |
| キーワード(2)（和/英） | 基板バイアス / Body Bias |
| キーワード(3)（和/英） | Standard Cell Memory / Standard Cell Memory |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 有佑 / Yusuke Yoshida / ヨシダ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 優 / Masaru Kudo / クドウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-03-01 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2015-130 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.465 |
| ページ範囲 | pp.111-116 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-02-22 (VLD) |
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