ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-03 14:20
[招待講演]n型半導体高分子の分子設計と有機デバイスへの応用
道信剛志東工大OME2015-88
抄録 (和) 高性能なn型半導体高分子の開発を目指し,3つのアプローチを試みたので報告する.まず,n型半導体であるフラーレン(C60)を重合して溶媒可溶な高分子を得ることに成功した.得られたフラーレン高分子の薄膜を作製して有機メモリ特性を評価したところ,n型の作動が確認された.次に,活性アルキンとテトラシアノエチレン(TCNE)の高収率付加反応を利用し,p型半導体高分子のエネルギー準位をn型半導体のエネルギー準位に変化させることに成功した.エネルギー準位はTCNE量で調節可能であり,薄膜トランジスタ特性と明確な相関を示した.さらに,ベンゾビスチアジアゾール(BBT)というアクセプター部位から成る半導体高分子を開発した.共モノマーの構造やヘテロ原子の導入,側鎖アルキル鎖の調節により薄膜トランジスタにおける移動度の向上を実現できた.また,フラーレンを使用しない有機太陽電池の開発も試した. 
(英) Novel n-type semiconducting polymers were developed and applied to various electronic devices. First, fullerene (C60) polymers were successfully synthesized by the azide-alkyne cycloaddition polymerization with a carefully designed comonomer. The resulting fullerene polymers showed n-type performances in the polymer memory characteristics. Secondly, a [2+2] cycloaddition-retroelectrocyclization of tetracyanoethylene (TCNE) was employed as a new postfunctionalization method of creating highly cyanated n-type semiconducting polymers. A change in the energy levels from p-type to n-type characters was demonstrated by the thin film transistor (TFT) performances. Lastly, benzobisthiadiazole (BBT)-based narrow band gap semiconducting polymers were synthesized by Pd-catalyzed polycondensation. Their charge polarity in TFTs could be controlled by the comonomer structures, heteroatom substitutions, and side chain engineering. Furthermore, fullerene-free polymer solar cells were fabricated by using the BBT-based n-type semiconducting polymers.
キーワード (和) 有機半導体高分子 / 薄膜トランジスタ / 有機太陽電池 / 有機メモリ / / / /  
(英) Organic semiconducting polymer / thin film transistor / organic solar cell / organic memory / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 485, OME2015-88, pp. 11-14, 2016年3月.
資料番号 OME2015-88 
発行日 2016-02-25 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2015-88

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2016-03-03 - 2016-03-03 
開催地(和) 東工大南3号館S322講義室 
開催地(英) S322 lecture room, Tokyo Tech, O-okayama campus 
テーマ(和) 有機デバイス/材料/一般 
テーマ(英) Organic devices and materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2016-03-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) n型半導体高分子の分子設計と有機デバイスへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel Design and Organic Device Applications of n-Type Semiconducting Polymers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機半導体高分子 / Organic semiconducting polymer  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(3)(和/英) 有機太陽電池 / organic solar cell  
キーワード(4)(和/英) 有機メモリ / organic memory  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 道信 剛志 / Tsuyoshi Michinobu / ミチノブ ツヨシ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第2著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2016-03-03 14:20:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2015-88 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.485 
ページ範囲 pp.11-14 
ページ数
発行日 2016-02-25 (OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会