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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-03-08 09:50 GaNショットキーバリアダイオードを用いた数十W級大電力整流回路の開発 ○西村貴希・三谷友彦・篠原真毅（京大）・岡田政也・善積祐介・上野昌紀（住友電工）  WPT2015-87 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではGaNショットキーバリアダイオードを用い、大電力のマイクロ波無線送電システムのための整流回路の開発を目的とする。また用いるマイクロ波の周波数は2.45 GHzとする。放熱性のため、ダイオードはパッケージを施さず、熱伝導性の良いAlNサブマウント上に載せて用いた。整流回路を設計し、シミュレーションを行った結果、入力電力20 W時にRF-DC変換効率71%を得た。設計した整流回路を試作、実験を行った結果、入力電力20 W時にRF-DC変換効率40%を達成した。またシミュレーションと実測の差の原因としてダイオード部分の整合線路に着目し、シミュレーションを行った。その結果、線路長がRF-DC変換効率に大きく影響し、4分の1波長の周期で変化することが分かった。最後にこの線路長を変化させて実験を行い、入力電力20 WにおいてRF-DC変換効率45%を達成し、RF-DC変換効率の改善を行うことができた。 |
| （英） | We aimed to develop high power rectifiers of 2.45 GHz with GaN schottky barrier diodes that had about 100 V of the breakdown voltage. We used unpackaged diodes with AlN submounts to make heat radiation characteristics better. In simulations, the RF-DC conversion efficiency of 71% was obtained at 20 W of the input power. In experiments, the RF-DC conversion efficiency of 40% was achieved at 20 W of the input power. Next, the line length of diode matching was investigated as the cause of difference between simulations and experiments. As a simulation results, RF-DC conversion efficiency was changed with a cycle of quarter wave length. Finally, rectifiers were experimented with changing the line length. As a results, the RF-DC conversion efficiency of 45% was achieved at 20 W of the input power. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波送電 / 大電力 / 整流回路 / GaNショットキーバリアダイオード / / / / |
| （英） | microwave power transfer / high power / rectifier / GaN schottky barrier diode / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 498, WPT2015-87, pp. 61-65, 2016年3月. | |
| 資料番号 | WPT2015-87 | |
| 発行日 | 2016-02-29 (WPT) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | WPT2015-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | WPT |
| 開催期間 | 2016-03-07 - 2016-03-08 |
| 開催地（和） | 京都大学宇治キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. Uji Campus |
| テーマ（和） | 無線電力伝送技術・SPS技術・一般 |
| テーマ（英） | Wireless Power Transfer, SPS Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | WPT |
| 会議コード | 2016-03-WPT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNショットキーバリアダイオードを用いた数十W級大電力整流回路の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Several Tens of W Class High Power Rectifier with GaN Schottky Barrier Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波送電 / microwave power transfer |
| キーワード(2)（和/英） | 大電力 / high power |
| キーワード(3)（和/英） | 整流回路 / rectifier |
| キーワード(4)（和/英） | GaNショットキーバリアダイオード / GaN schottky barrier diode |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 貴希 / Takaki Nishimura / ニシムラ タカキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 友彦 / Tomohiko Mitani / ミタニ トモヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 真毅 / Naoki Shinohara / シノハラ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 政也 / Masaya Okada / オカダ マサヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Elctric Industries, LTD (略称： SEI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 善積 祐介 / Yuusuke Yoshizumi / ヨシズミ ユウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Elctric Industries, LTD (略称： SEI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 昌紀 / Masaki Ueno / ウエノ マサキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Elctric Industries, LTD (略称： SEI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-03-08 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | WPT |
| 資料番号 | WPT2015-87 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.498 |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-02-29 (WPT) |
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