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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-03-11 11:15 整数計画法に基づくマルチレベルフラッシュメモリに適したWOM符号の構成 ○藤野陽樹・和田山 正（名工大）  IT2015-129 ISEC2015-88 WBS2015-112 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，整数計画法に基づくフラッシュメモリに適した 多値WOM(Write-Once-Memory) 符号の構成法を提案する． 本稿で検討する固定レート$(n, q, M, t^*)$-WOM符号では， $n$個の$q$レベルセルに対して$M$種類のメッセージを最悪時でも $t^*$回書き込み可能である． 提案法の特徴は，符号を構成するために必要な書き込み領域の系統的な決定法を有する点と 整数計画法に基づき状態にラベリングを行う点である． ここで，書き込み領域とは，符号化において次状態を定める際に利用する集合である． 提案構成法に基づいて，WOM符号を構成した結果， セル数$n=2$の場合，既知の最悪書き換え回数の上界と 提案WOM符号の最悪書き換え回数は$M = 8,q in [4,8]$の範囲で完全に一致し， 最適WOM符号が得られた． 提案法の特長として，高次元の場合への拡張も比較的容易な点が挙げられる． 一例として，新しく構成された$(n = 3, q = 7, M = 7, t^* = 8)$-WOM符号は， 既知のWOM符号を上回る最悪書き込み回数を与えている． |
| （英） | In this paper, we proposed a construction of non-binary WOM (Write-Once-Memory) codes for multilevel ($q$-level) flash memories based on integer programming. The WOM codes discussed in this paper are fixed rate $(n, q, M, t^*)$-WOM codes where messages in an alphabet of size $M$ can be written in $n$-cells at least $t^*$-times. The proposed construction has the two features. First, it possesses a systematic method to determine the writable areas needed to construct the codes. Second, the proposed construction includes a labeling method for cell states by using integer programming. The novel WOM codes with $n=2$ and $M= 8$ constructed by the proposed construction achieve the number of writes $t^*$ that meet the known upper bound in the range $q in [4,8]$. They are thus optimal in terms of the number of writes $t^*$. One of advantages of the proposed construction is flexibility; it can be used for high dimensional cases. For example, the new $(n = 3, q = 7, M = 7, t^* = 8)$-WOM code provides larger $t^*$ than that of the known $(3, 7, 7 ,7)$-WOM code. |
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| キーワード | （和） | WOM符号 / フラッシュメモリ / 整数計画法 / / / / / |
| （英） | WOM-code / flash memories / integer programming / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 500, IT2015-129, pp. 169-174, 2016年3月. | |
| 資料番号 | IT2015-129 | |
| 発行日 | 2016-03-03 (IT, ISEC, WBS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | IT2015-129 ISEC2015-88 WBS2015-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | IT ISEC WBS |
| 開催期間 | 2016-03-10 - 2016-03-11 |
| 開催地（和） | 電気通信大学 |
| 開催地（英） | The University of Electro-Communications |
| テーマ（和） | IT・ISEC・WBS合同研究会 |
| テーマ（英） | joint meeting of IT, ISEC, and WBS |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | IT |
| 会議コード | 2016-03-IT-ISEC-WBS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 整数計画法に基づくマルチレベルフラッシュメモリに適したWOM符号の構成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Construction of WOM codes for multilevel flash memories based of integer programming |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | WOM符号 / WOM-code |
| キーワード(2)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memories |
| キーワード(3)（和/英） | 整数計画法 / integer programming |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤野 陽樹 / Yoju Fujino / |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田山 正 / Tadashi Wadayama / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-03-11 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | IT |
| 資料番号 | IT2015-129, ISEC2015-88, WBS2015-112 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.500(IT), no.501(ISEC), no.502(WBS) |
| ページ範囲 | pp.169-174 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-03-03 (IT, ISEC, WBS) |
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