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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-03-22 11:00 Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価 ○富崎和正・森江 隆・安藤秀幸（九工大）・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大）  NC2015-70 |
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| 抄録 | （和） | ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い，高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア（集積回路）が開発されている．そのようなハードウェアは，ディジタル方式とアナログ方式に大別され，ディジタル方式の開発が先行しているが，より高い性能が期待されるアナログ方式の開発も活発化している．アナログ方式で最も重要な課題がアナログメモリ素子の開発である．近年，そのための有望な候補として抵抗変化型メモリ素子の研究が進み，その素子を用いて学習機能を内蔵した集積回路の報告もなされている．学習則としては主にスパイクタイミングシナプス可塑性（STDP）の実装が試みられている．本稿では，酸化モリブデンを主材料とする抵抗変化型メモリ素子のアナログメモリ特性を評価し，STDP制御回路を設計して，非対称STDP特性を実現した結果を報告する． |
| （英） | With the progress of practical implementation of deep learning in neural networks, high-speed and low-power neural hardware (very-large-scale integrated circuits) that performs learning operation is being developed. The circuit architecture of such hardware is classified into digital and analog. Several digital neural integrated circuits have already been developed, and analog neural integrated circuits, which are expected to achieve higher performance, are also being developed. The most crucial issue for analog neural circuits is development of analog memory devices. Recently, as promising such devices, resistance change memory devices are actively studied, and some analog neural circuits with learning mechanisms using such devices have been reported. Spike-timing dependent plasticity (STDP) is often tried to implement as a learning rule. In this paper, we report evaluation results of analog memory characteristics of resistance change memory devices including Molybdenum oxide, design of memory control circuits implementing STDP, and experimental results of memory operation with asymmetric STDP characteristics. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化型メモリ / ニューラルネットワークハードウェア / STDP制御回路 / SET/RESET動作 / / / / |
| （英） | resistance change memory / neural network hardware / STDP control circuit / SET/RESET operation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 514, NC2015-70, pp. 7-12, 2016年3月. | |
| 資料番号 | NC2015-70 | |
| 発行日 | 2016-03-15 (NC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | NC2015-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MBE NC |
| 開催期間 | 2016-03-22 - 2016-03-23 |
| 開催地（和） | 玉川大学 |
| 開催地（英） | Tamagawa University |
| テーマ（和） | ME, 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | NC |
| 会議コード | 2016-03-MBE-NC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An STDP control circuit and its evaluation using a Cu-MoOx-Al resistance change memory fabricated on a Si MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / resistance change memory |
| キーワード(2)（和/英） | ニューラルネットワークハードウェア / neural network hardware |
| キーワード(3)（和/英） | STDP制御回路 / STDP control circuit |
| キーワード(4)（和/英） | SET/RESET動作 / SET/RESET operation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富崎 和正 / Kazumasa Tomizaki / トミザキ カズマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森江 隆 / Takashi Morie / モリエ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 秀幸 / Hideyuki Ando / アンドウ ヒデユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： Kyushu Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福地 厚 / Atsushi Fukuchi / フクチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-03-22 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | NC |
| 資料番号 | NC2015-70 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.514 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-03-15 (NC) |
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