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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-09 11:15 High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT 仁部翔太・○大澤弘樹・原 明人（東北学院大）  SDM2016-15 OME2016-15 |
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| 抄録 | （和） | 低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長（Ni-SPC）に注目し、 更にデバイス高性能化のため、ゲート絶縁膜として high-k 膜である HfO2を利用した自己整合 4 端子メタルダブル ゲート(MeDG) Ni-SPC 低温(LT) 多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。この TFT は、トップ ゲート絶縁膜のみ HfO2を利用し、ボトムゲート絶縁膜は SiO2であるが、小さい S値と高いオン電流値を実現して いる。 |
| （英） | Self-aligned four-terminal (4T) metal double-gate (MeDG) low-temperature (LT) polycrystalline-silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) were fabricated using nickel-induced solid-phase crystallization (Ni-SPC), an inexpensive crystallization process, at low temperature. In this experiment, we used high-k HfO2 gate stacks to enhance the performance of the TFTs and achieved a low subthreshold swing value (s-value) and high on-current. | |
| キーワード | （和） | 金属誘起固相成長 / Ni-SPC / TFT / poly-Si / ４端子 / ダブルゲート / / |
| （英） | Metal Induced Crystallization / Ni-SPC / TFT / Poly-Si / Four-Terminal / Double-Gate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-15, pp. 61-65, 2016年4月. | |
| 資料番号 | SDM2016-15 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-15 OME2016-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Four-Terminal Metal Double-Gate LT Ni-SPC Poly-Si TFT with High-k Gate Stack |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起固相成長 / Metal Induced Crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | Ni-SPC / Ni-SPC |
| キーワード(3)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | poly-Si / Poly-Si |
| キーワード(5)（和/英） | ４端子 / Four-Terminal |
| キーワード(6)（和/英） | ダブルゲート / Double-Gate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仁部 翔太 / Syota Nibe / ニベ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 弘樹 / Hiroki Ohsawa / オオサワ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2016-04-09 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-15, OME2016-15 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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