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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-14 15:15
[依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大ICD2016-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-10
抄録 (和) 高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,および同回路を用いたセルアレイ設計法を開発した.Vref生成回路開発に先立ち,まず1-kbit STT-MRAMテストチップのメモリセル特性ばらつきを測定した.続いてその測定結果に基づき,Vref生成回路およびセルアレイ設計法を提案した.Monte CarloシミュレーションによりこのVref生成回路による読み出し信号電圧マージンを評価した結果,新提案の回路は従来のVref生成回路より信号電圧マージンが50%優れることがわかった. 
(英) A device-variation-tolerant spin-transfer-torque magnetic random access memory (STT-MRAM) cell array with a high-signal-margin reference generator circuit was developed to achieve high-density 1T1MTJ STT-MRAMs. Fluctuations in the memory cell characteristics were first measured using a 1-kbit STT-MRAM test chip. Based on these measurements, a reference generator and an STT-MRAM cell array architecture were proposed. This cell array was evaluated in terms of the signal margin for read operation by means of Monte-Carlo SPICE circuit simulations. The proposed design enables a 50% improvement in the signal margin compared with the conventional cell array circuit.
キーワード (和) STT-MRAM / センスアンプ / リファレンス / アレイ / モンテカルロシミュレーション / / /  
(英) STT-MRAM / sense amplifier / reference / array / Monte-Carlo simulation / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-10, pp. 51-56, 2016年4月.
資料番号 ICD2016-10 
発行日 2016-04-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2016-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-10

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2016-04-14 - 2016-04-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ技術と一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) STT-MRAM / STT-MRAM  
キーワード(2)(和/英) センスアンプ / sense amplifier  
キーワード(3)(和/英) リファレンス / reference  
キーワード(4)(和/英) アレイ / array  
キーワード(5)(和/英) モンテカルロシミュレーション / Monte-Carlo simulation  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 洋紀 / Hiroki Koike / コイケ ヒロキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本庄 弘明 / Hiroaki Honjo / ホンジョウ ヒロアキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 俊成 / Tosinari Watanabe / ワタナベ トシナリ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 英夫 / Hideo Sato / サトウ ヒデオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 創志 / Soshi Sato / サトウ ソウシ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 那須野 孝 / Takashi Nasuno / ナスノ タカシ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 靖夫 / Yasuo Noguchi / ノグチ ヤスオ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 安平 光雄 / Mitsuo Yasuhira / ヤスヒラ ミツオ
第9著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷川 高穂 / Takaho Tanigawa / タニガワ タカホ
第10著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 丹羽 正昭 / Masaaki Niwa / ニワ マサアキ
第11著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ
第12著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ
第13著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ
第14著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第15著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-04-14 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2016-10 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.3 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数
発行日 2016-04-07 (ICD) 


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