| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-14 10:35 ［依頼講演］容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM ○高島大三郎・遠藤真人（東芝）・島崎一浩・齋 学（東芝マイクロエレクトロニクス）・谷野雅章（東芝情報システム）  ICD2016-2 |
|
| 抄録 | （和） | 本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こすRead/Write動作を無くす事によりセルノイズマージンを大幅に向上しVddminを0.1V~0.3V向上出来た。不揮発性RAM Page Buffer向け3.3V高耐圧CMOSプロセスで6T-SRAMと同等のセルサイズ8.74um2の64b 7T-SRAMを試作し100%マクロ歩留りと1.6V Vddminで400FIT/MbのSoft Error Rate (SER)を達成した。 |
| （英） | A 7T-SRAM, in which cell data is written by capacitive coupling, is proposed. The elimination of current-drive in read/write operation solves current-conflict problems. No degradation of noise margin reduces Vddmin by 0.3V~0.1V. A prototype of 64b 7T-SRAM with 8.74um2 cell, comparable to 6T-SRAM, using 24nm 3.3V high-voltage CMOS process has been demonstrated for nonvolatile RAMs (NVRAMs) page buffer application. The 7T-SRAM macro has achieved 100% macro yield and low soft error rate (SER) of 400 FIT/Mb at 1.6V Vddmin, which is equal to |Vtp|+|Vtn| for 0.1uA low standby current. | |
| キーワード | （和） | スタティックRAM / / / / / / / |
| （英） | Static RAM / SRAM / Capacitive Coupling / Static Noise Margin / SNM / Resistive Memory / Page Buffer / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-2, pp. 7-12, 2016年4月. | |
| 資料番号 | ICD2016-2 | |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-2 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2016-04-14 - 2016-04-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 7T-SRAM with Data-Write Technique by Capacitive Coupling |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スタティックRAM / Static RAM |
| キーワード(2)（和/英） | / SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | / Capacitive Coupling |
| キーワード(4)（和/英） | / Static Noise Margin |
| キーワード(5)（和/英） | / SNM |
| キーワード(6)（和/英） | / Resistive Memory |
| キーワード(7)（和/英） | / Page Buffer |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 大三郎 / Daisaburo Takashima / タカシマ ダイサブロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 真人 / Masato Endo / エンドウ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島崎 一浩 / Kazuhiro Shimazaki / シマザキ カズヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス) Toshiba Microelectronics Corporation (略称： Toshiba Microelectronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋 学 / Manabu Sai / サイ マナブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 (略称： 東芝マイクロエレクトロニクス) Toshiba Microelectronics Corporation (略称： Toshiba Microelectronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷野 雅章 / Masaaki Tanino / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝情報システム株式会社 (略称： 東芝情報システム) Toshia Information Systems Corporation (略称： Toshia Information Systems) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-14 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-2 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.3 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]