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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-15 10:55 ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2016-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2016-15 |
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| 抄録 | （和） | 車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマクロを開発し、リードディスターブフリーなメモリアレイ構造により、車載品質への対応を可能とした。リードディスターブだけでなく、スロープパルスの適応制御によりTj=175℃で1億回以上の書換え耐性と書換え時の消費エネルギー0.07mJ/8kBを実現した。また、1T-MONOSベースの低消費MCUシステムにより従来システムに比べエンジン停止時の消費電力を99%削減可能とした。 |
| （英） | A first-ever 90nm embedded 1T-MONOS Flash macro is presented to realize automotive reliability and simple process integration. Read Disturb Free Array Architecture fully solves conventional read disturb issue in 1T-MONOS for automotive use. Adaptable Slope Pulse Control (ASPC) technique can achieve endurance over 100M cycles at Tj = 175°C and P/E current of only 98uA. Idling P/E Management Unit (IPEMU) scheme can reduce power consumption in Automotive Analog system by 99%. | |
| キーワード | （和） | 車載用途 / 混載用フラッシュメモリ / 高書換え耐性 / 低消費電力 / 1T-MONOS / / / |
| （英） | for Automotive / embedded Flash memory / high P/E endurance / low power consumption / 1T-MONOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-15, pp. 77-81, 2016年4月. | |
| 資料番号 | ICD2016-15 | |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-15 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2016-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2016-04-14 - 2016-04-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 90nm Embedded 1T-MONOS Flash Macro for Automotive Applications with 0.07mJ/8kB Rewrite Energy and Endurance Over 100M Cycles Under Tj of 175°C |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 車載用途 / for Automotive |
| キーワード(2)（和/英） | 混載用フラッシュメモリ / embedded Flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 高書換え耐性 / high P/E endurance |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| キーワード(5)（和/英） | 1T-MONOS / 1T-MONOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 悟 / Satoru Nakanishi / ナカニシ サトル |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三谷 秀徳 / Hidenori Mitani / ミタニ ヒデノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 謙 / Ken Matsubara / マツバラ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 浩 / Hiroshi Yoshida / ヨシダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito / タイトウ ヤスヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉藤 崇 / Takashi Kurafuji / クラフジ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 健二 / Kenji Noguchi / ノグチ ケンジ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山内 忠明 / Tadaaki Yamauchi / ヤマウチ タダアキ |
| 第11著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-15 10:55:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-15 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.3 |
| ページ範囲 | pp.77-81 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
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