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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-05-19 13:25 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 ○岸 直希・岩間一樹・水谷拓哉・加藤慎也・曽我哲夫（名工大）  ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 |
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| 抄録 | （和） | グラフェンの熱化学気相成長法による合成では、その層数や質は基板に用いる金属の種類に依存することが知られている。これまでにCuやNiを基板に用いるのが主流であり多数報告されている。一方で合金を基板に用いたグラフェン合成に関しては詳細が知られていない。本研究では、CuとNiの合金であるキュプロニッケルを基板として用いたグラフェン合成について検討を行いその詳細を調べた。 |
| （英） | The number of layers and quality of graphenes synthesized by chemical vapor deposition (CVD) depends on the type of metal substrates. Typical CVDs of graphenes uses Cu and Ni as the metal substrates. However the details of graphene synthesis on metal alloy has not been clarified. Here, we report that the graphene synthesis on cupronickel, which is a metal alloy of Cu and Ni. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / 熱化学気相成長法 / 合金基板 / / / / / |
| （英） | Graphenes / Thermal chemical vapor deposition / Metal alloy substrates / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 49, CPM2016-2, pp. 5-8, 2016年5月. | |
| 資料番号 | CPM2016-2 | |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2016-05-19 - 2016-05-20 |
| 開催地（和） | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
| 開催地（英） | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2016-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Synthesis of graphenes on metal alloy substrates by thermal chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphenes |
| キーワード(2)（和/英） | 熱化学気相成長法 / Thermal chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 合金基板 / Metal alloy substrates |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸 直希 / Naoki Kishi / キシ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩間 一樹 / Kazuki Iwama / イワマ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 拓哉 / Takuya Mizutani / ミズタニ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 慎也 / Shinya Kato / カトウ シンヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 曽我 哲夫 / Tetsuo Soga / ソガ テツオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-05-19 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2016-14, CPM2016-2, SDM2016-19 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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