| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2016-06-17 11:25
量子ドット組成混合導波路を集積した1550nm帯量子ドットレーザの検討 ○松井信衞・武井勇樹(早大)・松本 敦・赤羽浩一(NICT)・松島裕一・石川 浩・宇髙勝之(早大) OPE2016-11 LQE2016-21 |
| 抄録 |
(和) |
我々は能動・受動素子の光集積回路化を見据え、多重積層量子ドット(QD)基板においてイオン注入と熱処理による組成混合技術 (QDI)を用いた光機能素子の集積技術を検討してきた。この技術を用い、QD利得領域とQDI導波路及びQDI導波路上にマイクロリング型共振器(MMR)を装荷した集積素子をそれぞれ作製し、MMR集積素子では20mWを超えるレーザ出力を得た。 |
| (英) |
We had developed composition-intermixing technique using ion implantation and rapid thermal annealing (QDI: Quantum Dots Intermixing) for photonic integrated circuit (PIC) devices with highly-stacked quantum dots(QD). Using this technique, we have fabricated PIC devices with a QD gain section and QDI waveguide / micro ring resonators (MMR) formed on it. Lasing and output power more than 20 mW were realized for the MMR integrated laser. |
| キーワード |
(和) |
量子ドット / 組成混合化 / 集積光デバイス / 半導体光増幅器 / リング型光共振器 / 半導体レーザ / / |
| (英) |
Quantum dot / Intermixing / Integrated optical devices / Semiconductor optical amplifier / Micro-ring resonator / Semiconductor laser / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 103, LQE2016-21, pp. 11-14, 2016年6月. |
| 資料番号 |
LQE2016-21 |
| 発行日 |
2016-06-10 (OPE, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OPE2016-11 LQE2016-21 |