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講演抄録/キーワード
講演名 2016-06-17 09:50
不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価
赤池純也工藤 優宇佐美公良芝浦工大CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19
抄録 (和) 近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不揮発性の強磁性トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction : MTJ)をスタンダードセルメモリ(SCM)に適用することによって、パワーゲーティング(電源遮断)と併用して消費電力を低減できる回路を提案し、SRAMと比較したときの優位性の検討を行った。 
(英) With the spread of portable devices, products with high performance and long battery life are required. In this paper, we propose a Magnetic Tunnel Junction (MTJ)-based Standard Cell Memory (SCM) to reduce the power consumption of the cache memory. Simulation results showed that SCM can operate at a low voltage and has a high effectiveness in power reduction by PG.
キーワード (和) パワーゲーティング / MTJ / スタンダードセルメモリ / Break-Even Time / / / /  
(英) Power-Gating / MTJ / Standard Cell Memory / Break-Even Time / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 94, VLD2016-25, pp. 103-108, 2016年6月.
資料番号 VLD2016-25 
発行日 2016-06-09 (CAS, VLD, SIP, MSS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19

研究会情報
研究会 VLD CAS MSS SIP  
開催期間 2016-06-16 - 2016-06-17 
開催地(和) 弘前市立観光館 
開催地(英) Hirosaki Shiritsu Kanko-kan 
テーマ(和) システムと信号処理および一般 
テーマ(英) System, signal processing and related topics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2016-06-VLD-CAS-MSS-SIP 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design and Evaluation of MTJ-based Standard Cell Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーゲーティング / Power-Gating  
キーワード(2)(和/英) MTJ / MTJ  
キーワード(3)(和/英) スタンダードセルメモリ / Standard Cell Memory  
キーワード(4)(和/英) Break-Even Time / Break-Even Time  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤池 純也 / Junya Akaike / アカイケ ジュンヤ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 優 / Masaru Kudo / クドウ マサル
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ
第3著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: SIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-06-17 09:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 CAS2016-19, VLD2016-25, SIP2016-53, MSS2016-19 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.93(CAS), no.94(VLD), no.95(SIP), no.96(MSS) 
ページ範囲 pp.103-108 
ページ数
発行日 2016-06-09 (CAS, VLD, SIP, MSS) 


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