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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 10:20 ［依頼講演］HfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価 ○舟窪 浩・清水荘雄・片山きりは・三村和仙（東工大）  SDM2016-33 |
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| 抄録 | （和） | HfO2基強誘電体について、エピタキシャル膜を作製した。X線回折での構成相の解析方法を検討し、強誘電相の解析方法を確立した。また、種々の基板上に強誘電相を作製することで、強誘電相の配向の制御方法を見出した。 |
| （英） | Ferroelectric epitaxial HfO2-based films were successfully grown on single crystal substrates. Distinguish method of ferroelectric phase with other phases was established by using XRD analysis. Ferroelectric HfO2-based films were grown on various kinds of substrates and their orientation control method was established. | |
| キーワード | （和） | HfO2基強誘電体 / エピタキシャル薄膜 / 結晶方位制御 / / / / / |
| （英） | HfO2-based ferroelectric film / epitaxial films / orientation control / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-33, pp. 5-8, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-33 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of orientation-controlled HfO2 –based films and their properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO2基強誘電体 / HfO2-based ferroelectric film |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル薄膜 / epitaxial films |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶方位制御 / orientation control |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟窪 浩 / Hiroshi Funakub / フナクボ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 荘雄 / Takao Shimizu / シミズ タカオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 きりは / Kiriha Katayama / カタヤマ キリハ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 和仙 / Takanori Mimura / ミムラ タカノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 10:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-33 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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