| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 11:15 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 ～ 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して ～ ○藤沢浩訓・清水 勝・中嶋誠二（兵庫県立大）  SDM2016-35 |
|
| 抄録 | （和） | 有機金属化学気相堆積(MOCVD)法のみにより，直径110 nm，アスペクト比90のZnOナノワイヤを凸型テンプレートとしてZnO/(Hf,Zr)O_2/ZnOナノワイヤキャパシタを作製した．(Hf,Zr)O_2層は200℃で形成後，大気中800℃，1分のアニールで結晶化させたが，常誘電相である単斜晶と準安定相である正方晶／斜方晶の混相であった．電子顕微鏡観察により三層構造のナノワイヤキャパシタが形成されていることを確認した．ZnO/(Hf,Zr)O_2/ZnOナノワイヤキャパシタの直径とアスペクト比は，それぞれ200~300 nm，30~50であった． |
| （英） | We demonstrated fabrication of ZnO/(Hf,Zr)O_2/ZnO nanowire capacitors fabricated by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). ZnO nanowires with an average diameter of 110 nm and an aspect ratio of 90 was used as a positive template. Dielectric (Hf,Zr)O_2 layers were deposited at 200^oC and crystallized by post-annealing at 800^oC for 1 min in the atmosphere. XRD analysis revealed that (Hf,Zr)O_2 layers were composed of monoclinic and tetragonal/orthorhombic mixed phases. The tri-layered structure of the nanowires was confirmed by scanning electron microscopy. The diameters and aspect ratio of the resultant nanowire capacitors are 200-300 nm and above 30, respectively. | |
| キーワード | （和） | 強誘電体不揮発メモリ / ナノワイヤキャパシタ / ZnO / (Hf,Zr)O_2 / MOCVD / / / |
| （英） | non-volatile ferroelectric memories / nanowire capacitors / ZnO / (Hf,Zr)O_2 / MOCVD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-35, pp. 15-19, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-35 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-35 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 |
| サブタイトル（和） | 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して |
| タイトル（英） | Fabrication of ferroelectric nanowire capacitors |
| サブタイトル（英） | Towards high-density non-volatile ferroelectric memories |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体不揮発メモリ / non-volatile ferroelectric memories |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤキャパシタ / nanowire capacitors |
| キーワード(3)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(4)（和/英） | (Hf,Zr)O_2 / (Hf,Zr)O_2 |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤沢 浩訓 / Hironori Fujisawa / シミズ マサル |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 勝 / Masaru Shimizu / ナカシマ セイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中嶋 誠二 / Seiji Nakashima / |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. Hyogo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 11:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-35 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]