| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 10:00 ［依頼講演］強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 ○上牟田雄一・藤井章輔・高石理一郎・井野恒洋・中崎 靖・齋藤真澄・小山正人（東芝）  SDM2016-32 |
|
| 抄録 | （和） | TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べた。FT-IR測定からHfSiO膜の強誘電性の発現には、膜の結晶化度合が影響していることが明らかとなった。さらに上部TiN電極の形成プロセスもTiN/HfSiO/TiNキャパシタの電気特性に影響を与えることが分かった。 |
| （英） | We have investigated the effect of top TiN deposition process and annealing temperature on physical and electrical properties of TiN/HfSiO/TiN structures. From FT-IR measurement, it is found that the emergence of ferroelectricity in HfSiO is closely related with the degree of crystallinity of HfO2. Furthermore, it was found that the top TiN deposition process affects the electrical characteristics of ferroelectric TiN/HfSiO/TiN MIMCAPs. | |
| キーワード | （和） | 強誘電体HfO2 / TiN / FT-IR / XRD / C-V / / / |
| （英） | Ferroelectric HfO2 / TiN / FT-IR / XRD / C-V / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-32, pp. 1-4, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-32 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-32 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of top TiN deposition and annealing process on electrical and physical properties of ferroelectric HfSiO MIM capacitor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体HfO2 / Ferroelectric HfO2 |
| キーワード(2)（和/英） | TiN / TiN |
| キーワード(3)（和/英） | FT-IR / FT-IR |
| キーワード(4)（和/英） | XRD / XRD |
| キーワード(5)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / カミムタ ユウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 章輔 / Shosuke Fujii / フジイ ショウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高石 理一郎 / Riichiro Takaishi / タカイシ リイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井野 恒洋 / Tsunehiro Ino / イノ ツネヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki / ナカサキ ヤスシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 正人 / Masato Koyama / コヤマ マサト |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-32 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]