講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-06-29 15:05
タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果 ○速水脩平・豊田智史・福田勝利(京大)・菅谷英生(パナソニック)・森田将史・中田明良・内本喜晴・松原英一郎(京大) SDM2016-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-42 |
抄録 |
(和) |
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラメータの一つである。しかしながら、分光学的アプローチにおいては成膜プロセスの違いやチャージングによるスペクトル変動の影響が大きく、高精度なバンドオフセット予測を行うのが困難であった。そこで我々は表面電荷反転XPS法を開発し、これを用いてUV照射の有無によりTaNS/Si界面バンドオフセットがどのように変動するのか調査した。その結果TaNS/SiO2界面ダイポールが変動し、2サイクル積層試料についてバンドオフセットが増大することがわかった。 |
(英) |
On the basis of material design for ReRAM, the interfacial band offset between insulators and Si substrate is one of the key parameters in terms of a decrease in leakage current. It has been, however, difficult in spectroscopic approach to predict and evaluate band offsets with high accuracy because of film deposition process and surface charging. We have developed a surface charge switched electron spectroscopy, and compared how the TaNS/Si interfacial band offset had changed with or without UV irradiation, which caused to increase the band offset of a bilayer sample following the divergence of TaNS/SiO2 interfacial dipoles. |
キーワード |
(和) |
紫外線(UV)照射 / ナノシート / 光電子分光 / バンドオフセット / 界面ダイポール / / / |
(英) |
ultraviolet irradiation / nanosheet / photoelectron spectroscopy / band offset / interfacial dipole / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-42, pp. 53-58, 2016年6月. |
資料番号 |
SDM2016-42 |
発行日 |
2016-06-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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