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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 16:20 ［依頼講演］自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 ○川那子高暢・小田俊理（東工大）  SDM2016-45 |
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| 抄録 | （和） | 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって形成したアルミニウム酸化膜とホスホン酸SAMの2層構造からなる。極薄膜厚かつ高い絶縁性を有する自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いることで、2V駆動のMoS2 FETsの作製に成功した。またId–Vg特性にヒステリシスは認められず、サブスレッショルドスロープも69 mV/decであることから、良好な界面特性をMoS2/SAM構造によって実現することに成功した。 |
| （英） | In this study, self-assembled-monolayer (SAM)-based gate dielectrics is applied to the fabrication of molybdenum disulfide (MoS2) field-effect transistors (FETs). The gate dielectrics consist of plasma-oxidized aluminum oxides (AlOx) and a SAM. 2-voltage operational MoS2 FETs were demonstrated with the ultrathin SAM-based gate dielectrics. Furthermore, a subthreshold slope (SS) of 69 mV/dec and no hysteresis were observed. The small SS and no hysteresis in Id–Vg characteristics indicate the superior interfacial properties of the MoS2/SAM structure. The SAM-based gate dielectrics are found to be applicable to the fabrication of low-voltage MoS2 FETs. | |
| キーワード | （和） | 自己組織化単分子膜 / 二硫化モリブデン / 電界効果トランジスタ / 界面特性 / / / / |
| （英） | Self-assembled monolayer / Molybdenum disulfide / Field-effect transistors / Interfacial properties / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-45, pp. 69-74, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-45 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-assembled monolayer-based gate dielectrics for low voltage MoS2 FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 自己組織化単分子膜 / Self-assembled monolayer |
| キーワード(2)（和/英） | 二硫化モリブデン / Molybdenum disulfide |
| キーワード(3)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-effect transistors |
| キーワード(4)（和/英） | 界面特性 / Interfacial properties |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川那子 高暢 / Takamasa Kawanago / カワナゴ タカマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 俊理 / Shunri Oda / オダ シュンリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-45 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.69-74 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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