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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 17:00 ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京）  SDM2016-47 |
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| 抄録 | （和） | 近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するために、新たな高機能材料の必要性が高まっている。このような要求を満たす材料として、二硫化モリブデン(MoS2)に代表される遷移金属原子と硫黄等のカルコゲン原子からなる遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)原子層が大きな注目を集めている。一方で、TMDC原子層の成長手法や試料の評価などについては未だ不明瞭な点も多い。本論文では、TMDC原子層と関連するヘテロ構造の化学気相成長と評価に関する著者らの研究を紹介する。 |
| （英） | Recently, atomic layers of transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted much attention because of their unique two-dimensional structure and highly tunable electronic properties. To maximize their potential in electronics and optoelectronics, it is essential to develop a sophisticated growth process of high quality TMDC atomic layers and their heterostructures. In this presentation, we report our recent studies on chemical vapor deposition growth of high quality TMDC atomic layers and TMDC-based lateral heterostructures. | |
| キーワード | （和） | 原子層 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 化学気相成 / ヘテロ構造 / / / / |
| （英） | Atomic layer / Transition metal dichalcogenide / Chemical vapor deposition / Heterostructures / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-47, pp. 79-84, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-47 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characterization of atomically-thin transition metal dichalcogenides |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子層 / Atomic layer |
| キーワード(2)（和/英） | 遷移金属ダイカルコゲナイド / Transition metal dichalcogenide |
| キーワード(3)（和/英） | 化学気相成 / Chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ構造 / Heterostructures |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 耕充 / Yasumitsu Miyata / |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metropolitan Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 17:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-47 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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