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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 14:10 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2016-40 |
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| 抄録 | （和） | X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位から価電子帯上端までのエネルギー差を定量し、バンドギャップを考慮することで、各試料の電子親和力を決定した。また、この真空準位までのエネルギー差を見積もる方法を用いて、SiO2/SiおよびSiO2/4H-SiC構造の界面近傍に存在する電位変化、特にダイポールの定量手法を検討した。 |
| （英） | An evaluation method for estimating the valence band (VB) top from the vacuum level (VL) for semiconductors and dielectrics was proposed, and the determination of electron affinity (χ) for Si, 4H-SiC, and SiO2 was demonstrated. In addition, inner potential change and electrical dipole in the region near the SiO2/Si and SiO2/4H-SiC gate stack have been evaluated from analysis of the cut-off energy for secondary photoelectron. | |
| キーワード | （和） | Si / 4H-SiC / SiO2 / X線光電子分光法 / 電位変化 / ダイポール / / |
| （英） | Si / 4H-SiC / SiO2 / X-ray photoelectron Spectroscopy / Potential Change / Electrical Dipole / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-40, pp. 43-47, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-40 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | XPS Study on Potential Change and Electrical Dipole at SiO2/Semiconductor Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | 電位変化 / Potential Change |
| キーワード(6)（和/英） | ダイポール / Electrical Dipole |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 信幸 / Nobuyuki Fujimura / フジムラ ノブユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 浩成 / Hiromasa Watanabe / ワタナベ ヒロマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-40 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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