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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 11:55 ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）  SDM2016-37 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/TiNキャパシタにおける熱処理条件とZrO2層の結晶構造の関係及びAl2O3層挿入によるリーク電流の低減について検討した。ZrO2単層膜は、O2雰囲気の熱処理で高誘電率なZrO2の結晶相 (斜方晶、正方晶及び立方晶) を形成でき、誘電率は28を示した。ZAZ多層絶縁膜は、Al2O3層を0.3 nm挿入することでZrO2単層膜に比べてリーク電流は約1/6まで低減した。また、ZAZ多層絶縁膜のAl2O3層の膜厚が0.4 nm 以下であれば、ZAZ絶縁膜のk値に大きな低減は認められなかった。以上より、ZAZ多層絶縁膜は、大きなバンドギャップとアモルファス構造を有するAl2O3層を0.3 nm挿入することで、キャパシタ絶縁膜のk値を大きく低下させることなくリーク電流を効果的に低減できることが分かった。 |
| （英） | We studied characteristic of DRAM capacitors with ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) multilayer fabricated by atomic layer deposition and post-deposition annealing (PDA) at 600 oC in O2. The dielectric constant of ZrO2 single-layer exhibited about 28 because of the tetragonal, orthorhombic and cubic phase. The leakage current density of TiN/ZAZ/TiN MIM capacitor with 0.3 nm thick Al2O3 layer was drastically reduced by 1/6 compared to that of TiN/ZrO2/TiN capacitor. In addition, the k value of the overall insulating layer maintained around 28 in regions of 0.4 nm thick or less Al2O3 layer. We found that ZAZ multilayer with 0.3 nm thick Al2O3 layer plays an important role of the reduction of the leakage current density without decline of the k value of the overall insulating layer. | |
| キーワード | （和） | ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) / DRAM / 原子層堆積(ALD)法 / high-k / / / / |
| （英） | ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) / DRAM / Atomic layer deposition (ALD) / high-k / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-37, pp. 27-32, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-37 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Al2O3layer on leakage current properties for DRAM capacitor with ZrO2/Al2O3/ZrO2multilayer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) / ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) |
| キーワード(2)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 原子層堆積(ALD)法 / Atomic layer deposition (ALD) |
| キーワード(4)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 女屋 崇 / Takashi Onaya / オナヤ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学/物質・材料研究機構 (略称： 明大/物質・材料研究機構) Meiji University/National Institute for Materials Science (略称： Meiji Univ./NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構/JST-CREST (略称： 物質・材料研究機構/JST) National Institute for Materials Science/JST-CREST (略称： NIMS/JST-CREST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 朋実 / Tomomi Sawada / サワダ トモミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構/JST-CREST (略称： 物質・材料研究機構/JST) National Institute for Materials Science/JST-CREST (略称： NIMS/JST-CREST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 栗島 一徳 / Kazunori Kurishima / クリシマ カズノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学/物質・材料研究機構 (略称： 明大/物質・材料研究機構) Meiji University/National Institute for Materials Science (略称： Meiji Univ./NIMS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤本 直美 / Naomi Sawamoto / サワモト ナオミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 暁彦 / Akihiko Ohi / オオイ アキヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 知京 豊裕 / Toyohiro Chikyo / チキョウ トヨヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 11:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-37 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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