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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-08 14:55 ［招待講演］酸化物薄膜中のカチオン伝導を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリ ○鶴岡 徹（物質・材料研究機構）  MR2016-17 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物薄膜中の金属イオン伝導と金属／酸化物界面の固体電気化学反応を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリの動作機構解明と機能化に向けた取り組みについて述べる。動作モデルの提案と検証，酸化物の吸湿と金属／酸化物界面の酸化還元反応の詳細について議論する。また，機能化という観点から，原子スイッチの特徴である量子化コンダクタンスとシナプス動作についても述べる。 |
| （英） | We have investigated the switching mechanism and functionalities of Cu,Ag/Ta2O5/Pt atomic switch-type resistance change memories based on the transport of metal ions in oxide thin films and electrochemical reactions at metal/oxide interfaces. We proposed the operation model and confirmed the validity of our model. The effects of moisture absorption in the oxide matrix and of redox reactions at Ag,Cu/Ta2O5 interfaces on the switching characteristics are discussed. As the unique function of atomic switches, the conductance quantization and synaptic behavior are also demonstrated. | |
| キーワード | （和） | 酸化物 / カチオン伝導 / 酸化還元反応 / 吸湿 / 量子化コンダクタンス / シナプス動作 / / |
| （英） | oxide / cation transport / redox reaction / Moisture absorption / conductance quantization / synaptic behavior / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2016-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2016-07-08 - 2016-07-08 |
| 開催地（和） | 中央大学 |
| 開催地（英） | Chuo Univ. |
| テーマ（和） | 固体メモリ・媒体，一般 |
| テーマ（英） | Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2016-07-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化物薄膜中のカチオン伝導を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Atomic switch-type resistance change memory based on cation transport in oxide thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物 / oxide |
| キーワード(2)（和/英） | カチオン伝導 / cation transport |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化還元反応 / redox reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 吸湿 / Moisture absorption |
| キーワード(5)（和/英） | 量子化コンダクタンス / conductance quantization |
| キーワード(6)（和/英） | シナプス動作 / synaptic behavior |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鶴岡 徹 / Tohru Tsuruoka / ツルオカ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-08 14:55:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2016-17 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.125 |
| ページ範囲 | pp.25-29 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) |
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