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講演抄録/キーワード
講演名 2016-07-23 14:00
水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-27
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文献情報 信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-27, pp. 1-4, 2016年7月.
資料番号 ED2016-27 
発行日 2016-07-16 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2016-07-23 - 2016-07-24 
開催地(和) 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 
開催地(英) Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
テーマ(英) Semiconductor Processes and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2016-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Surface-oxide-controlled InAlN/GaN MOS-HEMT Using Water Vapor 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki /
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama /
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki /
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 陽一 / Yoichi Kamada /
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato /
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井田 佳孝 / Yoshitaka Niida /
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直哉 / Naoya Okamoto /
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 常信 和清 / Kazukiyo Joshin /
第8著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-07-23 14:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2016-27 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.158 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2016-07-16 (ED) 


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