お知らせ
2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ
技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ
電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW
参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
トップに戻る
前のページに戻る
[Japanese]
/
[English]
講演抄録/キーワード
講演名
2016-07-23 14:00
水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
○
尾崎史朗
・
牧山剛三
・
多木俊裕
・
鎌田陽一
・
佐藤 優
・
新井田佳孝
・
岡本直哉
・
常信和清
(
富士通研
)
ED2016-27
エレソ技報アーカイブへのリンク:
ED2016-27
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
/ / / / / / /
(英)
/ / / / / / /
文献情報
信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-27, pp. 1-4, 2016年7月.
資料番号
ED2016-27
発行日
2016-07-16 (ED)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
ED2016-27
エレソ技報アーカイブへのリンク:
ED2016-27
研究会情報
研究会
ED
開催期間
2016-07-23 - 2016-07-24
開催地(和)
首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室
開催地(英)
Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House
テーマ(和)
半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
テーマ(英)
Semiconductor Processes and Devices
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ED
会議コード
2016-07-ED
本文の言語
日本語
タイトル(和)
水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Surface-oxide-controlled InAlN/GaN MOS-HEMT Using Water Vapor
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
/
キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
/
キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
尾崎 史朗
/
Shiro Ozaki
/
第1著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
牧山 剛三
/
Kozo Makiyama
/
第2著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
多木 俊裕
/
Toshihiro Ohki
/
第3著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
鎌田 陽一
/
Yoichi Kamada
/
第4著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
佐藤 優
/
Masaru Sato
/
第5著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
新井田 佳孝
/
Yoshitaka Niida
/
第6著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡本 直哉
/
Naoya Okamoto
/
第7著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
常信 和清
/
Kazukiyo Joshin
/
第8著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Lab.
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第9著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第10著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2016-07-23 14:00:00
発表時間
25分
申込先研究会
ED
資料番号
ED2016-27
巻番号(vol)
vol.116
号番号(no)
no.158
ページ範囲
pp.1-4
ページ数
4
発行日
2016-07-16 (ED)
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]
[電子情報通信学会ホームページ]
IEICE / 電子情報通信学会