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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-23 15:30 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大）  ED2016-30 |
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| 抄録 | （和） | 我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-Cu2O/SiCxOy(電子捕獲層)/n-SiC/n-Si構造のpnメモリダイオードを提案した．今回，電子捕獲層について探索し，SiCxOy層に替えて，AlOx層を挿入したp-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造のメモリダイオードを提案した．本メモリで良好な不揮発性メモリ特性と整流特性を得た．また，従来のメモリダイオードのスイッチング電圧は5~6 Vであったが，本メモリダイオードで4 V以下の低スイッチング電圧動作が得られた． |
| （英） | We have previously proposed a two-terminal resistive nonvolatile p-Cu2O/SiCxOy(an electron-trapping layer)/n-SiC/n-Si-structured pn memory diode for the cross-point memory cell array. In this research, we investigated an electron trapping layer and replaced SiCxOy with AlOx, and propose a p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si-structured pn memory diode. Using this memory diode, we obtained a good resistive nonvolatile memory behavior with a good rectifying characteristic. And also, we obtained switching voltages of not more than 4 V which is lower than the previous switching voltages of 5-6 V with the previous memory diode. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化型不揮発性メモリ / クロスポイント配列 / / / / / / |
| （英） | Resistive nonvolatile memory / Cross-point memory array / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-30, pp. 17-20, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ED2016-30 | |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-07-23 - 2016-07-24 |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si Structured Nonvolatile pn Memory Diode with Low-Switching Voltage |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型不揮発性メモリ / Resistive nonvolatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | クロスポイント配列 / Cross-point memory array |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 充沙 / Misa Tsuchiya / ツチヤ ミサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚本 貴広 / Takahiro Tsukamoto / ツカモト タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 良幸 / Yoshiyuki Suda / スダ ヨシユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo Univ. of Agric. and Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-23 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-30 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
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