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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-24 10:20 CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 ○田辺直之・島中智史・須田慶太・渡辺正裕（東工大）  ED2016-34 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-34, pp. 35-39, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ED2016-34 | |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-07-23 - 2016-07-24 |
| 開催地（和） | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 |
| 開催地（英） | Tokyo Metropolitan Univ. Minami-Osawa Campus, International House |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room temperature negative differential resistance of CaF2/Si/CaF2 resonant tunneling diode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 直之 / Naoyuki Tanabe / タナベ ナオユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島中 智史 / Satoshi Shimanaka / シマナカ サトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 慶太 / Keita Suda / スダ ケイタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 正裕 / Masahiro Watanabe / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-24 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-34 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.158 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-16 (ED) |
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