| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2016-08-03 11:25
[招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~ ○深見俊輔・姉川哲朗・大河原綾人・張 超亮・大野英男(東北大) SDM2016-63 ICD2016-31 |
| 抄録 |
(和) |
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが実現できる。3端子スピントロニクス素子は現在実用化が目前に迫っている2端子型素子と比べて高速動作が可能でありまた設計の制約を緩和でき、より処理性能の高い集積回路を実現するための素子として有望である。本稿ではスピン軌道トルクを書き込み方法に用いた新構造の3端子スピン軌道トルク素子を開発し、0.5ナノ秒での電流パルスによる書き換え動作を実証した結果などを報告する。また無磁場動作を実現するための素子構造や反転電流の低減のための材料系に関する開発についても紹介する。 |
| (英) |
Integrated circuits with non-volatile spintronics memory devices open up new pathways toward ultralow-power and high-performance computing systems. Three-terminal spintronics devices allow high-speed operation and relaxed design constraints compared with the two-terminal counterpart. We here review our recent studies on three-terminal devices with spin-orbit torque induced switching, which can be reliably operated with sub-ns current pulses. Advanced structures and material engineering to further improve the device properties are also discussed. |
| キーワード |
(和) |
スピン軌道トルク / 3端子スピントロニクス素子 / 不揮発メモリ / / / / / |
| (英) |
Spin-Orbit Torque / Three-Terminal Spintronics Device / Nonvolatile Memory / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-63, pp. 99-103, 2016年8月. |
| 資料番号 |
SDM2016-63 |
| 発行日 |
2016-07-25 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2016-63 ICD2016-31 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 |
2016-08-01 - 2016-08-03 |
| 開催地(和) |
中央電気倶楽部 |
| 開催地(英) |
Central Electric Club |
| テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ(英) |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2016-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 |
| サブタイトル(和) |
高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して |
| タイトル(英) |
A Three-Terminal Spin-Orbit Torque Switching Magnetic Memory Device |
| サブタイトル(英) |
Toward Realization of High-Speed and Low-Power Nonvolatile Integrated Circuits |
| キーワード(1)(和/英) |
スピン軌道トルク / Spin-Orbit Torque |
| キーワード(2)(和/英) |
3端子スピントロニクス素子 / Three-Terminal Spintronics Device |
| キーワード(3)(和/英) |
不揮発メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
深見 俊輔 / Shunsuke Fukami / フカミ シュンスケ |
| 第1著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
姉川 哲朗 / Tetsuro Anekawa / アネカワ テツロウ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大河原 綾人 / Ayato Ohkawara / オオカワラ アヤト |
| 第3著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
張 超亮 / Chaoliang Zhang / チョウ チョウリョウ |
| 第4著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第5著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2016-08-03 11:25:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2016-63, ICD2016-31 |
| 巻番号(vol) |
vol.116 |
| 号番号(no) |
no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.99-103 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2016-07-25 (SDM, ICD) |