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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-08-25 09:20 オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・長谷部浩一・西 英隆・山本 剛・硴塚孝明・松尾慎治（NTT）  R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
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| 抄録 | （和） | 短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2を介してSi基板上に作製することで、活性層への強い光閉じ込めを実現し、レーザの低消費エネルギー化を図ってきた。今回、チップ間光インターコネクトに適した活性層体積のレーザを実現するため、活性層長10～20 $myu$mの短共振器構造で発振する共振器を設計し、レーザを作製した。活性層長10 $myu$mのレーザに関しては、分布ブラッグ反射鏡（DBR）構造を採用し、DBRレーザで世界最小のしきい電流0.17 mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。また、活性層長20 $myu$mのレーザに関しては、位相シフトDFBレーザの両側にDBRを設けた両側分布反射型（DR）レーザを作製し、しきい値電流0.66 mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。 |
| （英） | It is required to reduce energy consumptions of directly modulated semiconductor lasers to realize very short distance optical interconnects. Chip to chip optical interconnects require lasers with their active length of 10~20 $myu$m. We have developed ultra-short cavity InP-based membrane lasers on SiO2/Si substrates, because these structures enable small energy consumptions due to the large optical confinement. By applying distributed Bragg reflector (DBR) structures, we successfully reduced the active length to 10 $myu$m. The DBR laser exhibited a threshold current of 0.17 mA. We also fabricated 20 $myu$m long $lambda$/4-shifted DFB lasers with DBR mirrors on the both sides (twin mirror DR laser). It exhibits a threshold current of 0.66 mA. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / ウエハ接合 / シリコンフォトニクス / 短共振器レーザ / DBRレーザ / DRレーザ / / |
| （英） | Semiconductor Laser / Wafer bonding / Silicon photonics / Short cavity laser / DBR laser / DR laser / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 195, LQE2016-28, pp. 1-4, 2016年8月. | |
| 資料番号 | LQE2016-28 | |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE EMD R CPM |
| 開催期間 | 2016-08-25 - 2016-08-26 |
| 開催地（和） | 函館ロワジールホテル |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般（OECC報告） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-08-LQE-OPE-EMD-R-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Continuous-wave Operation of Ultra-short Cavity Membrane Lasers on Si Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor Laser |
| キーワード(2)（和/英） | ウエハ接合 / Wafer bonding |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | 短共振器レーザ / Short cavity laser |
| キーワード(5)（和/英） | DBRレーザ / DBR laser |
| キーワード(6)（和/英） | DRレーザ / DR laser |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅野 絵理奈 / Erina Kanno / カンノ エリナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 浩司 / Koji Takeda / タケダ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 拓郎 / Takuro Fujii / フジイ タクロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷部 浩一 / Koichi Hasebe / ハセベ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 英隆 / Hidetaka Nishi / ニシ ヒデタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 剛 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-08-25 09:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2016-19, EMD2016-23, CPM2016-32, OPE2016-53, LQE2016-28 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.191(R), no.192(EMD), no.193(CPM), no.194(OPE), no.195(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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