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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-05 13:55 Si基板上へのMnGa(001)配向膜の作製とイオン照射による磁気パターニング ○石川 徹・根来 翼・福田憲吾・大島大輝・加藤剛志・岩田 聡（名大）  CPM2016-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2016-57 |
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| 抄録 | （和） | 熱酸化膜付きSi基板上に(001)配向したL10-MnGa膜の成膜を試み，その構造と磁気特性をMgO(001)単結晶基板上のMnGa膜と比較した．さらに，Si基板上の(001)配向L10-MnGa膜へ局所的にイオン照射することによる磁気パターン構造の作製を試みた．Si基板上のL10-MnGa膜の磁化は140 emu/cc程度とMgO基板上のものの1/3程度の値であったが，垂直磁気異方性を示す膜が得られた．また，Si基板上のMnGa膜の表面粗さはRa = 1.2 nmと十分平坦な膜が得られ，30 keVのKrイオンを2 × 1014 ions/cm2程度照射することで非磁性化できることが分かった．さらに，Si基板上のMnGa膜へ局所的にイオン照射することで，150 nmピッチの微細な磁気パターンを作製することができた． |
| （英） | We tried to grow (001) oriented L10-MnGa films on thermally oxidized Si substrate, and compared their structures and magnetic properties with those of (001) oriented L10-MnGa grown on MgO(001). Moreover, local ion irradiation on the MnGa on Si substrate was used to fabricate magnetically patterned MnGa.. The MnGa grown on Si substrate exhibited a saturation magnetization of 140 emu/cc, which is around 1/3 of that grown on MgO(001), and showed perpendicular magnetic anisotropy. The surface roughness Ra was confirmed to be 1.2 nm, and it was confirmed that the magnetism of the MnGa was transferred from ferromagnetic to paramagnetic by 30 keV Kr ion dose of 2 × 1014 ions/cm2. Furthermore, we confirmed the magnetically patterned structure with a pitch size down to 150 nm by the local ion irradiation on MnGa on Si substrate. | |
| キーワード | （和） | ビットパターン媒体 / イオン照射 / MnGa規則合金 / / / / / |
| （英） | Bit patternd media / Ion irradiation / MnGa ordered alloy / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 235, CPM2016-57, pp. 13-17, 2016年10月. | |
| 資料番号 | CPM2016-57 | |
| 発行日 | 2016-09-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2016-57 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2016-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2016-10-05 - 2016-10-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 光記録技術・電子材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2016-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上へのMnGa(001)配向膜の作製とイオン照射による磁気パターニング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of (001) oriented MnGa film grown on Si substrate and ion-irradiation patterning |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ビットパターン媒体 / Bit patternd media |
| キーワード(2)（和/英） | イオン照射 / Ion irradiation |
| キーワード(3)（和/英） | MnGa規則合金 / MnGa ordered alloy |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 徹 / Toru Ishikawa / イシカワ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根来 翼 / Tsubasa Negoro / ネゴロ ツバサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 憲吾 / Kengo Fukuta / フクタ ケンゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 大輝 / Daiki Oshima / オオシマ ダイキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato / カトウ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 聡 / Satoshi Iwata / イワタ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-05 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2016-57 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.235 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-09-28 (CPM) |
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