講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-05 13:30
自由電子レーザー照射下で成長させた単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御及び電気特性 ○保延賢人・川口大貴・石川翔梧・永田知子・岩田展幸・山本 寛(日大) CPM2016-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-56 |
抄録 |
(和) |
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びSiO2/Si基板を用いて成長した単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)のカイラリティ制御を試みた。FELを照射しながら化学気相成長(Chemical Vapor Deposition : CVD)法で成長させた基板表面像から成長したSWNTを確認した。また、Radial Breathing Mode (RBM)はラマン励起波長785nmにおいてのみ確認できたことから、FEL照射によりFELのエネルギーに相当するバンドギャップを有するSWNTのみ成長させられることが確かめられた。そこからSWNTの直径を算出するとFELの励起波長800nmの場合1.03nm、1.09nmの半導体性SWNTのみを成長したことが確認できた。この結果を間接的でなく直接的に電気測定を行うことによってSWNTsが半導体的性質を持つことを確認した。方法としてガスチャンバー冷却型クライオスタッドを用いて抵抗-温度測定を行った。結果として温度を50K以下にしていくにつれて急激に抵抗の値が高くなった。このことから直接的に半導体の性質を持つSWNTsがFEL照射すると半導体的性質が表れることが分かった。 |
(英) |
We have grown chirality controlled single – walled carbon nanotubes (SWNTs) using free-electron laser (FEL) of wavelength 800nm on SiO2/Si substrate. The SWNTs are successfully grown by a chemical vapor deposition method with FEL irradiation. The grown SWNTs are analyzed by multi-excitation laser Raman spectroscopy system. The peaks of radial breathing mode (RBM), indicating the growth of SWNTs, appear in the Raman spectroscopy with only 785 nm excitation laser. From the results, the grown SWNTs are semiconducting and the diameter is 1.03 nm and 1.09 nm. As a temperature is decreased, the resistance is increased. From the electrical measurement, semiconducting property is also confirmed. |
キーワード |
(和) |
単層カーボンナノチューブ / カイラリティ制御 / 化学気相成長法 / 電気特性 / / / / |
(英) |
Single-Walled Carbon Nanotube / Chirality Control / Chemical Vapor Deposition / Electrical properties / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 235, CPM2016-56, pp. 7-11, 2016年10月. |
資料番号 |
CPM2016-56 |
発行日 |
2016-09-28 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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