講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-26 11:50
CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 ○増澤智昭・根尾陽一郎(静岡大)・後藤康仁(京大)・岡本 保(木更津高専)・長尾昌善(産総研)・佐藤信浩(京大)・秋吉優史(阪府大)・高木郁二(京大)・三村秀典(静岡大) ED2016-56 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2016-56 |
抄録 |
(和) |
福島第一原発の廃炉に向けて,高い放射線耐性を持つ撮像素子の開発が求められている.本研究では耐放射線FEA撮像素子に組み込むための光電変換膜開発のため,CdTe/CdSダイオードへのガンマ線照射による光電変換特性の変化および撮像特性の評価を行った.コバルト60を用いたガンマ線照射実験では,1 MGyの照射ではダイオードの光電変換特性が変化しないことが確認された. |
(英) |
In this study, radiation tolerance of CdTe/CdS photodiode was investigated. Irradiation of gamma-ray from cobalt-60 with a total dose of 1 MGy did not result in degradation of photoconductivity. The present result suggests that this type of photodiode is suitable to be used as a photoconductive target of a vidicon-type image sensor. |
キーワード |
(和) |
耐放射線 / 撮像素子 / CdTe / FEA / gamma-ray / / / |
(英) |
Radiation-tolerant / Image sensor / CdTe / FEA / gamma-ray / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 268, ED2016-56, pp. 63-66, 2016年10月. |
資料番号 |
ED2016-56 |
発行日 |
2016-10-18 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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