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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-26 14:00 ［招待講演］最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御 ○嵯峨幸一郎（ソニー）  SDM2016-69 |
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| 抄録 | （和） | 半導体デバイスの多様化にともない、DRAMトレンチキャパシタ、CMOSイメージセンサ、高耐圧トランジスタなどSi基板の深い空間電荷層領域を用いるデバイスにおいて、Si表面の金属汚染だけでなく、Si基板に侵入する金属汚染の制御の重要性が高まっている。Si基板中への金属不純物の侵入を防止するためには、プロセスや表面の膜種、金属種により、汚染がどのようにSi基板中に侵入、拡散するか、電気的に活性になるかを見極めることが重要である。Si基板へ侵入してしまった金属に対しては、プロセス温度や金属種に応じた最適なゲッタリング設計が必要とされる |
| （英） | Metal impurities dissolved in silicon can cause “recombination centers”, which degrade retention characteristics of DRAMs, produce dark current in CMOS image sensors, and cause leakage of current in high-voltage transistors. In consideration of these problems, methods of controlling metallic contamination (including the removal, prevention, and gettering) in advanced ULSI manufacturing are reviewed. In particular, for controlling yield of the devices, the better understanding of the behavior and electrical activities of metal impurities diffusing in and penetrating into silicon is important. The gettering design based on the physical properties of metal species is also proposed. | |
| キーワード | （和） | 金属不純物 / 重金属汚染 / 汚染 / 洗浄 / 酸素析出物 / 再結合センター / 拡散 / ゲッタリング |
| （英） | metallic contamination / transition metals / contamination / cleaning / oxygen precipitates / recombination center / diffusion / gettering | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-69, pp. 1-8, 2016年10月. | |
| 資料番号 | SDM2016-69 | |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-10-26 - 2016-10-27 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Controlling Metallic Contamination in Advanced ULSI Processing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属不純物 / metallic contamination |
| キーワード(2)（和/英） | 重金属汚染 / transition metals |
| キーワード(3)（和/英） | 汚染 / contamination |
| キーワード(4)（和/英） | 洗浄 / cleaning |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素析出物 / oxygen precipitates |
| キーワード(6)（和/英） | 再結合センター / recombination center |
| キーワード(7)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(8)（和/英） | ゲッタリング / gettering |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嵯峨 幸一郎 / Koichiro Saga / サガ コウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニー) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-26 14:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-69 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.270 |
| ページ範囲 | pp.1-8 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
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