講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-26 16:10
[招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之(日立)・水谷朋子・平本俊郎(東大) SDM2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク: SDM2016-72 |
抄録 |
(和) |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低電圧動作の実証について報告する。低バラツキとAdaptive Back Bias(ABB)技術の利用により、動作温度に寄らず0.4V以下の動作を実証した。また、ABB技術により、スタンバイ状態のVthを高く、アクティブ状態のVth低く設定することにより、高速動作と低スタンバイーリークを実現した。 |
(英) |
We demonstrated record 0.37V minimum operation voltage (VMIN) of 2Mb Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) 6T-SRAM. Thanks to the small variability of SOTB (AVT~1.3 mVμm) and adaptive back biasing (ABB), VMIN was lowered down to ~0.4 V regardless of temperature. Both fast access time and small standby leakage were achieved by ABB. |
キーワード |
(和) |
薄膜BOX / SOI / SRAM / 超低電圧動作 / 基板バイアス技術 / 低スタンバイリーク / / |
(英) |
Silicon-on-Thin-Buried-oxide / SRAM / Low Voltage Operation / Low Standby Leakage / back bias / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-72, pp. 21-25, 2016年10月. |
資料番号 |
SDM2016-72 |
発行日 |
2016-10-19 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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