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講演抄録/キーワード
講演名 2016-10-26 16:10
[招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-72
抄録 (和) 薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低電圧動作の実証について報告する。低バラツキとAdaptive Back Bias(ABB)技術の利用により、動作温度に寄らず0.4V以下の動作を実証した。また、ABB技術により、スタンバイ状態のVthを高く、アクティブ状態のVth低く設定することにより、高速動作と低スタンバイーリークを実現した。 
(英) We demonstrated record 0.37V minimum operation voltage (VMIN) of 2Mb Silicon-on-Thin-Buried-oxide (SOTB) 6T-SRAM. Thanks to the small variability of SOTB (AVT~1.3 mVμm) and adaptive back biasing (ABB), VMIN was lowered down to ~0.4 V regardless of temperature. Both fast access time and small standby leakage were achieved by ABB.
キーワード (和) 薄膜BOX / SOI / SRAM / 超低電圧動作 / 基板バイアス技術 / 低スタンバイリーク / /  
(英) Silicon-on-Thin-Buried-oxide / SRAM / Low Voltage Operation / Low Standby Leakage / back bias / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-72, pp. 21-25, 2016年10月.
資料番号 SDM2016-72 
発行日 2016-10-19 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-72

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-10-26 - 2016-10-27 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultralow-Voltage Operation of Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) 2Mbit SRAM Down to 0.37 V Utilizing Adaptive Back Bias 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜BOX / Silicon-on-Thin-Buried-oxide  
キーワード(2)(和/英) SOI / SRAM  
キーワード(3)(和/英) SRAM / Low Voltage Operation  
キーワード(4)(和/英) 超低電圧動作 / Low Standby Leakage  
キーワード(5)(和/英) 基板バイアス技術 / back bias  
キーワード(6)(和/英) 低スタンバイリーク /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto / ヤマモト ヨシキ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama / マキヤマ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長谷川 拓実 / Takumi Hasegawa / ハセガワ タクミ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡西 忍 / Shinobu Okanishi / オカニシ シノブ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 前川 径一 / Keiichi Maekawa / マエカワ ケイイチ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 新川田 裕樹 / Shinkawata Hiroki / シンカワタ ヒロキ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / カモハラ シロウ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ
第9著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニ トモコ
第10著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: UT)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoro / ヒラモト トシロウ
第11著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: UT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-10-26 16:10:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-72 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.270 
ページ範囲 pp.21-25 
ページ数
発行日 2016-10-19 (SDM) 


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