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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-27 11:15 Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）  SDM2016-76 |
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| 抄録 | （和） | 従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリ構造として、高集積化に適したMONOS型不揮発性メモリが注目されている。本研究では、Hf系MONOS型構造を用いた不揮発性メモリのSi表面原子レベル平坦化による電気特性向上に関する検討を行った。Ar/4%H2混合ガス雰囲気中で1050℃ /60 minの熱処理によりSi表面の原子レベル平坦化を行い、ECRスパッタ法によりHfO2/HfN/HfO2積層構造をin-situで形成後、蒸着法によりAl電極を堆積した。原子レベル平坦化を行うことでMONOS型不揮発性メモリのメモリウィンドウが1.0 Vから2.5 Vに増加することが分かった。 |
| （英） | MONOS type nonvolatile memory is a promising candidate to replace floating gate type nonvolatile memory. In this study, ONO structure was deposited on atomically flat Si(100) surface to investigate the effect of Si surface flattening process on electrical characteristics of Hf-based MONOS structure. P-Si(100) substrates were annealed at 1000℃/60 min in Ar/4%H2 ambient for surface flattening. Then HfO2/HfN/HfO2 gate stack structures were in-situ deposited by ECR plasma sputtering and Al top electrode was deposited by thermal evaporation. It was revealed that memory window was increased from 1.0 V to 2.5 V by Si surface flattening. | |
| キーワード | （和） | Si / 原子レベル平坦化プロセス / Ar/H2 / Hf / MONOS型不揮発性メモリ / / / |
| （英） | Si / atomically flattening process / Ar/H2 / Hf / MONOS type nonvolatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 270, SDM2016-76, pp. 39-44, 2016年10月. | |
| 資料番号 | SDM2016-76 | |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-10-26 - 2016-10-27 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Si surface flatness on electrical characteristics of Hf-based MONOS structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 原子レベル平坦化プロセス / atomically flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(4)（和/英） | Hf / Hf |
| キーワード(5)（和/英） | MONOS型不揮発性メモリ / MONOS type nonvolatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh / クドウ ソウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-27 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-76 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.270 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-10-19 (SDM) |
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