講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-10-27 16:35
中赤外フォトニクスのためのGeリブ導波路とGeSn導波路の高効率接続ならびにGeSn/SiGeSn多重量子井戸導波路の消光特性に関する理論的検討 ○秋江みなみ・佐藤孝憲・牧野俊太郎(北大)・荒井昌和(宮崎大)・藤澤 剛・齊藤晋聖(北大) OCS2016-44 OPE2016-85 LQE2016-60 エレソ技報アーカイブへのリンク: OPE2016-85 LQE2016-60 |
抄録 |
(和) |
波長2 μm帯における集積型光アクティブデバイスへの応用を念頭に,Si基板上のGeリブ導波路と,さらにその上に積層されたGeSn導波路との高効率接続構造について検討している.GeSn導波路の導波路幅をテーパさせることにより,高効率な接続が可能であることを見出すとともに,接続するGeSn導波路とリブ導波路の間の実効屈折率を近づけ,両導波路を同時にテーパさせることで,より低損失・短いテーパ長での高効率接続が可能であることを明らかにした.さらに,2ミクロン帯における,GeSn/SiGeSn多重量子井戸の光吸収特性をMany-Body Theoryにより算出し,GeSn多重量子井戸導波路の消光特性に関する検討も行った. |
(英) |
We investigate efficient connecting structure between Ge-rib and GeSn waveguides on Si substrate for mid-infrared (2 μm) integrated optical active devices. By tapering the GeSn waveguide width, the Ge-rib waveguide can be efficiently connected to GeSn waveguide. We also find that the proposed structure has the low-loss characteristics with shorter taper length by matching the effective index of GeSn waveguide to that of Ge-rib waveguide together with individual tapering. Furthermore, we calculate the absorption spectra of GeSn/SiGeSn multiple-quantum-well around 2 μm by many-body theory, and investigate the extinction characteristics of GeSn multiple-quantum-well waveguides. |
キーワード |
(和) |
中赤外フォトニクス / GeSn / 多重量子井戸構造 / / / / / |
(英) |
Mid-infrared photonics / GeSn / Multiple-quantum-well / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 275, LQE2016-60, pp. 55-60, 2016年10月. |
資料番号 |
LQE2016-60 |
発行日 |
2016-10-20 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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