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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-10-28 13:00 ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大）  OME2016-38 |
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| 抄録 | （和） | 有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価とシミュレーション解析を実施した．トップコンタクト型ペンタセン TFT に対しては，ソース・ドレイン電極直下に限定された電荷ドープ層（コンタクトドープ層）の存在によって，トンネル障壁の厚さが低減し，キャリア注入が促進される事が示唆された．また，ソース・ドレイン金電極表面をフッ素化ベンゼンチオールで修飾したボトムコンタクト型ペンタセン TFT では，キャリア注入障壁の低減と電極周辺部における膜構造改善の効果が共存していることを示す結果が得られた． |
| （英） | Device fabrication and simulation analysis of organic thin-film transistors, which especially focused on contact doping and chemical modification of the electrode surfaces, were performed. The analysis results for contact-doped pentacene thin-film transistors with bottom-gate, top-contact configuration indicate the improved carrier injection due to the reduction of the thickness of the tunneling barrier at the source/semiconductor interface. Additionally, for bottom-gate, bottom-contact pentacene transistors with gold source-drain electrodes treated with pentafluorobenzenethiol, both the decrease in the carrier injection barrier and the improvement of the film structure at the electrode/semiconductor interface should be considered for discussing and understanding the effects of the contact modification in detail. | |
| キーワード | （和） | 有機薄膜トランジスタ / コンタクト修飾 / デバイスシミュレーション / ショットキー障壁 / / / / |
| （英） | Organic Thin-Film Transistor / Contact Modification / Device Simulation / Schottky Barrier / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 281, OME2016-38, pp. 1-4, 2016年10月. | |
| 資料番号 | OME2016-38 | |
| 発行日 | 2016-10-21 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2016-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2016-10-28 - 2016-10-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 有機デバイス、材料、一般 |
| テーマ（英） | Organic device, Materials, General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2016-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Simulation Analysis of Contact Modification in Organic Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / Organic Thin-Film Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | コンタクト修飾 / Contact Modification |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky Barrier |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 啓 / Kei Noda / ノダ ケイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長浜 陽生 / Haruki Nagahama / ナガハマ ハルキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 亮 / Ryo Yamamoto / ヤマモト リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 恭雄 / Yasuo Wada / ワダ ヤスオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio University (略称： Keio Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥谷部 達 / Toru Toyabe / トヤベ トオル |
| 第5著者 所属（和/英） | 東洋大学 (略称： 東洋大) Toyo Universiry (略称： Toyo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-10-28 13:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2016-38 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.281 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-10-21 (OME) |
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