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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-10 13:30
[招待講演]センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し
大村泰久関西大SDM2016-81
抄録 (和) 本稿では、SOI TFETを含むいろいろなSOIデバイスの性能の特徴と見通しを議論する。埋め込み医療デバイスやセンサー・ネットワーク用デバイスなどを想定して、低エネルギー応用の視点からデバイス性能を見直す。完全空乏化SOIデバイス、XCT-SOI CMOS, TBJ-SOI MOSFETなど、1Vあるいはそれ以下でも安定動作するデバイスの性能見通しなどを紹介する。 
(英) This paper discusses, in detail, the potential and prospects of various SOI devices including SOI TFETs. Device performances are reviewed and examined from the viewpoint of low-energy applications, such as not only medical implant devices, but also devices for sensor networks, mobile PC, and others. Device simulations reveal that 20-nm-gate single-gate fully-depleted SOI MOSFETs yield sufficiently low-power performance operation. It is also demonstrated in simulations that XCT-SOI CMOS and TBJ-SOI MOSFET promise very low energy operations at the supply voltage of 1V.
キーワード (和) SOI / MOSFET / TFET / 低電圧 / 低エネルギー / センサーネットワーク / 埋め込み医療機器 /  
(英) SOI / MOSFET / TFET / low voltage / low energy / sensor network / medical implant /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-81, pp. 15-22, 2016年11月.
資料番号 SDM2016-81 
発行日 2016-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-81

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2016-11-10 - 2016-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-11-SDM 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Potential and Prospects of Low-Energy SOI Devices in Sensor Network Era 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) TFET / TFET  
キーワード(4)(和/英) 低電圧 / low voltage  
キーワード(5)(和/英) 低エネルギー / low energy  
キーワード(6)(和/英) センサーネットワーク / sensor network  
キーワード(7)(和/英) 埋め込み医療機器 / medical implant  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ
第1著者 所属(和/英) 関西大学 (略称: 関西大)
Kansai University (略称: Kansai Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-11-10 13:30:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-81 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.296 
ページ範囲 pp.15-22 
ページ数
発行日 2016-11-03 (SDM) 


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