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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-16 15:00 半導体露光装置における構造変化検知 ○大坪洋介（ニコン）・杉山 将（理研/東大）  IBISML2016-45 |
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| 抄録 | （和） | 半導体露光装置は，半導体素子回路のパターンをシリコンウェハに焼き付ける装置であり，高精度な光学系と複数のユニットからなっている．安定してナノメートルオーダーの露光精度を実現するためには，環境の変化に敏感に反応する各部の内部状態変化を正確に把握する必要がある．そのためには，露光装置内部に各部の内部状態を計測するセンサを多数設置し，それらセンサ間の統計的な依存関係の変化を検出することが有用である．しかし，各時刻でのセンサ間の統計的依存関係を推定し，前後の時刻での推定結果を比較することによって変化を検知するという単純なアプローチでは，観測の雑音のため依存関係の変化がうまく検知できないという問題があった．そこで，近年提案された密度比推定に基づく直接的構造変化検知手法を用いることにする．この手法では，各状態でのセンサ間の統計的依存関係は同定せず，前後の状態での統計的依存関係の変化を直接推定することによって変化検知を行う．本論文では，装置の機構に関する事前知識を考慮するため，直接的構造変化検知に装置の機構に基づくグループ正則化も取り入れることを提案する．提案手法を実際の露光装置から得られたセンサログデータに適用し，露光装置の機械的な構造と合致する自然な変化検知結果が得られることを示す． |
| （英） | A lithography system, which consists of various mechanical units such as high-precision optical systems, prints circuit patterns on a silicon wafer. To achieve high throughput and nanometer-order alignment accuracy, it is necessary to accurately grasp change of internal states in the system which sensitively depends on environments and exposure conditions. For this purpose, it is useful to install many sensors in the system to measure its internal states and detect change in the statistical dependency among sensors. However, naive change detection by first estimating the statistical dependency among sensors at each time point and then comparing the estimated dependency does not work well due to measurement noise. To cope with this problem, we adopt a direct structural change detection method that has been developed recently based on density ratio estimation. This method directly estimates change in statistical dependency without identifying the statistical dependency at each time point. In this paper, we further propose to use group regularization to incorporate our prior knowledge on the module structure of the system. We apply the proposed method to sensor-log data obtained from an actual lithography system and show that natural results can be obtained that are consistent with the mechanical and physical structure of the system. |
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| キーワード | （和） | 半導体露光装置 / 構造変化検知 / センサログ / 密度比推定 / グループ正則化 / / / |
| （英） | Lithography system / Structural change detection / Sensor log / Density ratio estimation / group regularization / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 300, IBISML2016-45, pp. 1-8, 2016年11月. | |
| 資料番号 | IBISML2016-45 | |
| 発行日 | 2016-11-09 (IBISML) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | IBISML2016-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | IBISML |
| 開催期間 | 2016-11-16 - 2016-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 情報論的学習理論ワークショップ(IBIS2016) |
| テーマ（英） | Information-Based Induction Science Workshop (IBIS2016) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | IBISML |
| 会議コード | 2016-11-IBISML |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体露光装置における構造変化検知 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Change Detection in Lithography Systems |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体露光装置 / Lithography system |
| キーワード(2)（和/英） | 構造変化検知 / Structural change detection |
| キーワード(3)（和/英） | センサログ / Sensor log |
| キーワード(4)（和/英） | 密度比推定 / Density ratio estimation |
| キーワード(5)（和/英） | グループ正則化 / group regularization |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大坪 洋介 / Yosuke Otsubo / |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ニコン (略称： ニコン) NIKON CORPORATION (略称： NIKON) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 将 / Masashi Sugiyama / |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所/東京大学 (略称： 理研/東大) RIKEN/The University of Tokyo (略称： RIKEN/UTokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-16 15:00:00 |
| 発表時間 | 180分 |
| 申込先研究会 | IBISML |
| 資料番号 | IBISML2016-45 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.300 |
| ページ範囲 | pp.1-8 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2016-11-09 (IBISML) |
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