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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-19 10:00
TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長
武山真弓佐藤 勝北見工大CPM2016-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-69
抄録 (和) 2.5D-LSIあるいはSi-LSIにおけるトランジスタ周りにおいて、低抵抗なCuを(111)面に高配向成長させて用いようとする動きがある。そこで本研究では、5nmのTaWN3元合金バリヤを用いて、Cu(111)面の高配向成長が可能かどうか調べた。その結果、エピタキシャルの関係を持つCu(111)/Nb(110)にほぼ匹敵する優れた配向がTaWN膜上で得られることがわかった。一方、TaWN膜は、Cuのバリヤとしての機能も併せ持ち、700℃で1時間の熱処理後においても、Cuの拡散を抑制できる優れたバリヤ材料としても機能し得ることが明らかとなった。さらには、TaWN膜は、3元合金膜の中で低抵抗であり、バリヤとしての特性もCu(111)を得る下地材料としての特性も極めて有用であるという優れた材料となることがわかった。 
(英) In this study, we examine that the Cu grain orientation control on the 5-nm-thick TaWN ternary alloy barrier. The strongly-preferential oriented Cu(111) layer is observed on thin TaWN barrier even in the as-deposited Cu(100 nm)/TaWN(5 nm)/Si system. Also, this system is tolerated annealing at 700 ̊C for 1 h without excess reaction and diffusion. It is revealed that the TaWN film is one of the excellent barrier having the thermal stability and low resistivity. Simultaneously, the TaWN film is candidate for superior underlayer to obtain the preferential orientation of Cu(111).
キーワード (和) Cuプラグ / 2.5D-LSI / 高配向成長 / TaWN / 3元合金膜 / / /  
(英) Cu plug / 2.5D-LSI / preferential orientation / TaWN / ternary alloy film / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 311, CPM2016-69, pp. 41-44, 2016年11月.
資料番号 CPM2016-69 
発行日 2016-11-11 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2016-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-69

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2016-11-18 - 2016-11-19 
開催地(和) 金沢工大 扇が丘キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2016-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Cu(111) preferential orientation on TaWN ternary alloy barrier 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Cuプラグ / Cu plug  
キーワード(2)(和/英) 2.5D-LSI / 2.5D-LSI  
キーワード(3)(和/英) 高配向成長 / preferential orientation  
キーワード(4)(和/英) TaWN / TaWN  
キーワード(5)(和/英) 3元合金膜 / ternary alloy film  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-11-19 10:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2016-69 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.311 
ページ範囲 pp.41-44 
ページ数
発行日 2016-11-11 (CPM) 


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