講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-11-19 10:00
TaWN3元合金バリヤ上のCu(111)面高配向成長 ○武山真弓・佐藤 勝(北見工大) CPM2016-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-69 |
抄録 |
(和) |
2.5D-LSIあるいはSi-LSIにおけるトランジスタ周りにおいて、低抵抗なCuを(111)面に高配向成長させて用いようとする動きがある。そこで本研究では、5nmのTaWN3元合金バリヤを用いて、Cu(111)面の高配向成長が可能かどうか調べた。その結果、エピタキシャルの関係を持つCu(111)/Nb(110)にほぼ匹敵する優れた配向がTaWN膜上で得られることがわかった。一方、TaWN膜は、Cuのバリヤとしての機能も併せ持ち、700℃で1時間の熱処理後においても、Cuの拡散を抑制できる優れたバリヤ材料としても機能し得ることが明らかとなった。さらには、TaWN膜は、3元合金膜の中で低抵抗であり、バリヤとしての特性もCu(111)を得る下地材料としての特性も極めて有用であるという優れた材料となることがわかった。 |
(英) |
In this study, we examine that the Cu grain orientation control on the 5-nm-thick TaWN ternary alloy barrier. The strongly-preferential oriented Cu(111) layer is observed on thin TaWN barrier even in the as-deposited Cu(100 nm)/TaWN(5 nm)/Si system. Also, this system is tolerated annealing at 700 ̊C for 1 h without excess reaction and diffusion. It is revealed that the TaWN film is one of the excellent barrier having the thermal stability and low resistivity. Simultaneously, the TaWN film is candidate for superior underlayer to obtain the preferential orientation of Cu(111). |
キーワード |
(和) |
Cuプラグ / 2.5D-LSI / 高配向成長 / TaWN / 3元合金膜 / / / |
(英) |
Cu plug / 2.5D-LSI / preferential orientation / TaWN / ternary alloy film / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 311, CPM2016-69, pp. 41-44, 2016年11月. |
資料番号 |
CPM2016-69 |
発行日 |
2016-11-11 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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