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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-25 11:20
負の群遅延特性の広帯域化のための埋め込み型多層F-SIR構造に関する検討
佐々木隆司秋田大)・萓野良樹電通大)・田中元志秋田大EMCJ2016-91
抄録 (和) 負の群遅延特性を実現する方法として,多層F-SIR構造が提案されたが,負の群遅延発現帯域の広帯域化が求められている.本研究では,最上層の共振器が空気に面していることによる実効誘電率の変化と,それに伴う共振の変化を抑えるために共振器を誘電体に埋め込む構造とした,埋め込み型多層F-SIR構造を提案する.埋め込むOpen-stub F-SIRを1~4層構造とし,Open-stub F-SIRの層数と共振器長を変えることで共振及び反共振周波数を制御した.それらに伴って生じる正負の群遅延を組み合わせ,群遅延の負の傾きを直線的にしつつ広帯域化を図れる可能性を実験的に示した. 
(英) Though the multi-layer F-SIR (Folded-Stepped Impedance Resonator) structure had been proposed, the wideband negative GD (Group Delay) characteristics is required. In this study, the embedded multi-layer F-SIR structure is newly proposed, in which the resonator of the uppermost layer is embedded in the dielectric to suppress changes of the effective dielectric constant. Designing negative GD and slope characteristics was empirically discussed by changing the number of the embedded open-stub F-SIR and the length of the resonator. Resonance and anti-resonance frequencies were able to be controlled, and then the feasibility of wideband negative GD with linear slope was demonstrated.
キーワード (和) F-SIR / 埋め込み型多層F-SIR構造 / Open-stub F-SIR / 負の群遅延 / / / /  
(英) F-SIR (folded-stepped impedance resonator) / Embedded multi-layer F-SIR structure / Open-stub F-SIR / Negative group delay / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 327, EMCJ2016-91, pp. 19-24, 2016年11月.
資料番号 EMCJ2016-91 
発行日 2016-11-18 (EMCJ) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2016-91

研究会情報
研究会 EMCJ  
開催期間 2016-11-25 - 2016-11-25 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 若手研究者発表会,一般 
テーマ(英) Young Scientist Meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2016-11-EMCJ 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 負の群遅延特性の広帯域化のための埋め込み型多層F-SIR構造に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study on Embedded Multi-Layer F-SIR Structure for Wideband Negative Group Delay Characteristics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) F-SIR / F-SIR (folded-stepped impedance resonator)  
キーワード(2)(和/英) 埋め込み型多層F-SIR構造 / Embedded multi-layer F-SIR structure  
キーワード(3)(和/英) Open-stub F-SIR / Open-stub F-SIR  
キーワード(4)(和/英) 負の群遅延 / Negative group delay  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 隆司 / Ryuji Sasaki / ササキ リュウジ
第1著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 萓野 良樹 / Yoshiki Kayano / カヤノ ヨシキ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 元志 / Motoshi Tanaka / タナカ モトシ
第3著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-11-25 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2016-91 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.327 
ページ範囲 pp.19-24 
ページ数
発行日 2016-11-18 (EMCJ) 


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