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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-11-28 15:30 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 ○籔内美智太郎・大島 梓・駒脇拓弥・小林和淑・岸田 亮・古田 潤（京都工繊大）・Pieter Weckx（ルーベン・カトリック大/IMEC）・Ben Kaczer（IMEC）・松本高士（東大）・小野寺秀俊（京大）  VLD2016-52 DC2016-46 |
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| 抄録 | （和） | 複合欠陥を考慮したランダムテレグラフノイズ (RTN: Random Telegraph Noise) モデルを用いた回路解析手法を提案する．従来の単一欠陥モデルでは40 nm SiONプロセスのRTNを再現することができない．複合欠陥モデルを用いることでゲート酸化膜におけるHK層とIL層が異なる欠陥特性分布を持つことを考慮した回路解析が可能となる．提案手法では，リングオシレータにおけるRTN発振周波数変動の測定結果から欠陥特性値を推定し，モンテカルロ解析によってRTN発振周波数変動の分布を再現する．試作チップによる測定結果と提案手法によって得られた解析結果を比較したところ，複合欠陥モデルは回路レベルにおけるRTNを正確に再現できることが確認された． |
| （英） | We propose a circuit analysis method using the bimodal RTN (random telegraph noise) model of the defect-centric distribution. The conventional unimodal model fails to replicate the effect of RTN on 40 nm SiON process circuits. The bimodal model takes into account defect characteristics of both HK and interface layer in gate dielectric. The proposed method estimates defect characteristics and reproduces frequency distributions by RTN. We confirm the bimodal model fully replicates the effect of RTN by comparing simulation and measurement results of 40 nm test chips. |
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| キーワード | （和） | RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / ばらつき / 信頼性 / 回路設計 / / / |
| （英） | RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / variation / reliability / circuit design / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 330, VLD2016-52, pp. 49-54, 2016年11月. | |
| 資料番号 | VLD2016-52 | |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2016-52 DC2016-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE |
| 開催期間 | 2016-11-28 - 2016-11-30 |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Circuit Simulation Method Using Bimodal Defect-Centric Model of Random Telegraph Noise on 40 nm SiON Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RTN (Random Telegraph Noise) / RTN (Random Telegraph Noise) |
| キーワード(2)（和/英） | defect-centric distribution / defect-centric distribution |
| キーワード(3)（和/英） | ばらつき / variation |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 回路設計 / circuit design |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 籔内 美智太郎 / Michitarou Yabuuchi / ヤブウチ ミチタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 梓 / Azusa Oshima / オオシマ アズサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 駒脇 拓弥 / Takuya Komawaki / コマワキ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 亮 / Ryo Kishida / キシダ リョウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 潤 / Jun Furuta / フルタ ジュン |
| 第6著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Pieter Weckx / Pieter Weckx / Pieter Weckx |
| 第7著者 所属（和/英） | KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre (略称： ルーベン・カトリック大/IMEC) KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre (略称： KUL/IMEC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ben Kaczer / Ben Kaczer / Ben Kaczer |
| 第8著者 所属（和/英） | Interuniversity Microelectronics Centre (略称： IMEC) Interuniversity Microelectronics Centre (略称： IMEC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-28 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2016-52, DC2016-46 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.330(VLD), no.331(DC) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-21 (VLD, DC) |
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