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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 13:25 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大）  ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
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| 抄録 | （和） | GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化の初期過程を評価した。-450 Vおよび-200 V の2回の電圧掃引で、ショットキー接触のI-V特性において障壁高さが低下、逆方向電流が増加した。金属顕微鏡観察では電極形状に変化がみられなかったが、界面顕微光応測定では光電流が増加している領域がスポット状に検出された。この領域の面積は6 m2で、障壁高さは0.52 eV低下していることも明らかとなり、順方向I-V特性を再現することもできた。界面顕微光応答法は電極全体をマクロに見渡せ、高電圧印加による劣化の初期過程の評価に有効であることを確認した。 |
| （英） | We characterized an early stage of interface degradation by high-reverse-voltage application in Au/Ni/n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission (SIPM). Photocurrent was fairly uniform over the dot without the voltage application. However after applying voltage stress with a current compliance of 1×10-8 A, we find some spots standing out from uniform surrounding. The calculated forward I-V curve from the SIPM results was closed to the experimental one. It is speculated that the leakage current can preferentially flow through the low-barrier spots before catastrophic degradation. We confirmed that SIPM is a powerful tool for characterizing an early stage of interface degradation in Schottky contacts. | |
| キーワード | （和） | n-GaN / ショットキー接触 / 界面顕微光応答法 / 電圧印加劣化 / / / / |
| （英） | n-GaN / Schottky contact / Scanning internal photoemission microscopy / degradation by voltage stress / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-58, pp. 5-8, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-58 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Initial Stage of Degradation in Au/Ni/n-GaN Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission Microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-GaN / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / Scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 電圧印加劣化 / degradation by voltage stress |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukuiv (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村瀬 真悟 / Shingo Murase / ムラセ シンゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukuiv (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 昌嵩 / Masataka Maeda / マエダ マサタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukuiv (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-58, CPM2016-91, LQE2016-74 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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