ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-12 09:30
ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発
張 松石河泰明來福 至ティフェン ブルジェト浦岡行治奈良先端大)・エリック ジョンソンマーティン フォロディナイヴァン ボンナシュペール ロカ イ カバロカスエコール・ポリテクニークEID2016-9 SDM2016-90
抄録 (和) 近年、太陽電池の更なる高効率化に向けてタンデム型太陽電池の研究が進んでいる。二種類の太陽電池間におけるリコンビネーション層は互いに独立している太陽電池を直列接続する重要な役割を担っている。本研究では、ペロブスカイト/微結晶Si(µcSi)タンデム型太陽電池においてリコンビネーション層となる、ペロブスカイト太陽電池のホール輸送層について検討した。RFスパッタリングによって堆積されたNiO薄膜の結晶成長機構を確認したのち、NiO/(pまたはn)-µcSi再結合層を作製し、特性評価した。NiO/p-µcSi構造で、印加電圧が1.15 Vの時、154 mA/cm2の電流密度が得られた。これはNiO/p-µcSi構造がペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池のリコンビネーション層に適用できることを示している。 
(英) In recent years, the study of tandem solar cells that enable to achieve high efficiency has gathered much attention. The recombination layer between the two types of solar cells is critical issue because of its important role in connecting the solar cells in series. In this study, the junction between a hole-transport layer for perovskite solar cells with a microcrystalline Si (µcSi) layer is investigated as a recombination layer of perovskite/µcSi tandem solar cell. The complex growth of NiO thin films deposited by RF sputtering is first investigated to determine optimum growth conditions to obtain a compact and thin layer of NiO. Then, NiO/(p or n)-µcSi recombination layers are designed and measured. The measured current density of NiO/p-µcSi layer reached 154 mA/cm2 when the applied voltage was over 1.15 V, indicating that NiO/p-µcSi is a promising structure to be used as a recombination layer in perovskite/µcSi tandem solar cells.
キーワード (和) タンデム型太陽電池 / ペロブスカイト / リコンビネーション層 / ホール輸送層 / NiOスパッタリング / / /  
(英) Tandem solar cell / Perovskite / Recombination layer / Hole-transport layer / NiO sputtering / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-90, pp. 1-6, 2016年12月.
資料番号 SDM2016-90 
発行日 2016-12-05 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2016-9 SDM2016-90

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2016-12-12 - 2016-12-12 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-12-SDM-EID 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of recombination layer in Perovskite/Microcrystalline Si tandem solar cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) タンデム型太陽電池 / Tandem solar cell  
キーワード(2)(和/英) ペロブスカイト / Perovskite  
キーワード(3)(和/英) リコンビネーション層 / Recombination layer  
キーワード(4)(和/英) ホール輸送層 / Hole-transport layer  
キーワード(5)(和/英) NiOスパッタリング / NiO sputtering  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 松 / Song Zhang / チョウ ショウ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石河 泰明 / Yasuaki Yishikawa / イシカワ ヤスアキ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 來福 至 / Itaru Raifuku / ライフク イタル
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) ティフェン ブルジェト / Tiphaine Bourgeteau /
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) エリック ジョンソン / Erik Johnson /
第6著者 所属(和/英) エコール・ポリテクニーク (略称: エコール・ポリテクニーク)
Ecole polytechnique (略称: Ecole polytechnique)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) マーティン フォロディナ / Martin Foldyna /
第7著者 所属(和/英) エコール・ポリテクニーク (略称: エコール・ポリテクニーク)
Ecole polytechnique (略称: Ecole polytechnique)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) イヴァン ボンナシュ / Yvan Bonnassieux /
第8著者 所属(和/英) エコール・ポリテクニーク (略称: エコール・ポリテクニーク)
Ecole polytechnique (略称: Ecole polytechnique)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) ペール ロカ イ カバロカス / Pere Roca i Cabarrocas /
第9著者 所属(和/英) エコール・ポリテクニーク (略称: エコール・ポリテクニーク)
Ecole polytechnique (略称: Ecole polytechnique)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-12 09:30:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2016-9, SDM2016-90 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.354(EID), no.355(SDM) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2016-12-05 (EID, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会