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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 14:45 p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 ○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大）  EID2016-22 SDM2016-103 |
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| 抄録 | （和） | 電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生成された酸化物が電解液に溶解することでエッチングが進行する。転位の影響で局所的に電流密度が大きくなると、その部分にピットが形成されてしまう。電流による酸化物の生成速度が電解液による酸化物の除去速度に近い場合、酸化物が表面に残留(部分的に被覆)するようなエッチングモードとなる。このようなエッチングモードを利用すると、電流の局所的な集中を抑えることができエッチピットの形成を抑制することができる。 |
| （英） | In the EC etching, only p-type SiC is selectively etched through the following mechanism. SiC is oxidized by holes supplied from p-type SiC to the SiC/electrolyte interface. Subsequently, the formed oxide (SiOx) is removed (chemically etched) by the electrolyte. The EC etching suffers from formation of etch pits at the places where dislocations intersect the surface. In this study, we found two modes of EC etching from the viewpoint of rate balance between the oxidation of SiC by current flow and the removal of formed oxide by electrolyte, and we tried to suppress the formation of etch pits by controlling the etching mode. | |
| キーワード | （和） | p型SiC / 電気化学エッチング / エッチピット / 転位 / / / / |
| （英） | p-SiC / electrochemical etching / etch pit / dislocation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-103, pp. 59-62, 2016年12月. | |
| 資料番号 | SDM2016-103 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2016-22 SDM2016-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-12 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of Etch Pits by Control of Etching Modes in Electrochemical Etching of p-type 4H-SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型SiC / p-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学エッチング / electrochemical etching |
| キーワード(3)（和/英） | エッチピット / etch pit |
| キーワード(4)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榎薗 太郎 / Taro Enokizono / エノキゾノ タロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 14:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2016-22, SDM2016-103 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.354(EID), no.355(SDM) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) |
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