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| 講演名 | 2016-12-12 13:00 GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研）  ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショットキーゲートリーク電流と転位密度の相関を明らかにするために、GaN自立基板およびサファイア基板上に作製したInAlN HEMT構造のゲートリーク特性を評価した。InAlN HEMT構造の転位密度は、GaN基板上が1.8E4 cm-2、サファイア基板上が1.2E9 cm-2であった。GaN基板上のInAlN HEMT構造では転位密度の低減により、順方向バイアス領域において3～4桁程度の大幅なリーク電流の減少が確認できた。一方、ピンチオフ電圧以下の逆方向バイアス領域においては、顕著なリーク電流低減効果は見られなかった。低バイアス領域の電流輸送機構については貫通転位を起点としたFrenkel-Poole伝導が、高バイアス領域においてはInAlNバリア層中の強い内部電界に起因して電界放出に基づくトンネル電子輸送が関連しているものと考えられる。 |
| （英） | This paper investigate the effects of threading dislocation density on the leakage characteristics of Ni/Au Schottky diodes fabricated on InAlN high-electron-mobility transistor (HEMT) structures. Threading dislocation densities were determined to be 1.8E4 cm-2 and 1.2E9 cm-2 for the HEMT structures grown on GaN and sapphire substrates, respectively. Leakage characteristics of Ni/Au Schottky diodes were compared between the two samples and a reduction of the leakage current of about three to four orders of magnitude was observed in the forward bias region. For the high reverse bias region, however, no significant improvement was confirmed. We believe the leakage current in the low bias region is governed by a dislocation-related Frenkel-Poole emission and the leakage current in the high reverse bias region originates from field emission due to the large internal electric field in the InAlN barrier layer. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / InAlN / ショットキー接合 / ゲートリーク電流 / 転位 / / |
| （英） | GaN / HEMT / InAlN / Schottky diode / Gate leakage current / Dislocation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 356, ED2016-57, pp. 1-4, 2016年12月. | |
| 資料番号 | ED2016-57 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-13 |
| 開催地（和） | 京大桂キャンパス |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | 窒化物半導体・光電子デバイス・材料、関連技術及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride semiconductors, optoelectronic devices, and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-12-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current-voltage characteristics of Ni/Au Schottky diodes fabricated on InAlN/AlN/GaN heterostructures grown on GaN substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | InAlN / InAlN |
| キーワード(4)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky diode |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / Gate leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | 転位 / Dislocation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu laboratories (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 敦史 / Atsushi Yamada / ヤマダ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu laboratories (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石黒 哲郎 / Tetsuro Ishiguro / イシグロ テツロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu laboratories (略称： Fujitsu Lab.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 哲一 / Norikazu Nakamura / ナカムラ ノリカズ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu laboratories (略称： Fujitsu Lab.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-57, CPM2016-90, LQE2016-73 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.356(ED), no.357(CPM), no.358(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (ED, CPM, LQE) |
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