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講演抄録/キーワード
講演名 2016-12-12 16:45
a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製
堀 賢将田中 遼古我祐貴松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-29 SDM2016-110
抄録 (和) ニューラルネットワークとは人間の脳を基にした情報処理モデルであり, 盛んに研究されている. しかし, ハードウェアでのニューラルネットワークで高度な学習を行うためには高集積化をさせる必要性がある. そこで我々は高集積化が可能な薄膜材料の中でも低温プロセスで高移動度であるIGZO薄膜を用いることにした. 今回はクロスポイント型のシナプスを作製することによって, 一枚の基板上に多くのシナプスを作成する研究を行った. また,メモリスタ特性が見られたため,メモリスタ特性の測定実験も行った. 
(英) Neural networks are information processing models based on human brains, which have been actively studied. However, in order to perform advanced learning of the neural networks in hardware, high integration is necessary. Therefore, we decided to use the IGZO thin films that have high mobility even if they are fabricated by a low-temperature process among the thin film materials that can be highly integrated. By making a cross-point type of synapse this time, a study was conducted to create a large number of synapses on a single substrate. Moreover, since memristor characteristics were observed, experiments for measuring memristor characteristics were also conducted.
キーワード (和) In-Ga-Zn-O(IGZO) / ニューラルネットワーク / シナプス / クロスポイント / / / /  
(英) In-Ga-Zn-O(IGZO) / Neural network / Synapse / Cross Point / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-110, pp. 89-92, 2016年12月.
資料番号 SDM2016-110 
発行日 2016-12-05 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2016-29 SDM2016-110

研究会情報
研究会 SDM EID  
開催期間 2016-12-12 - 2016-12-12 
開催地(和) 奈良先端科学技術大学院大学 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-12-SDM-EID 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of Synapses in Neural Networks using a-IGZO Thin Films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) In-Ga-Zn-O(IGZO) / In-Ga-Zn-O(IGZO)  
キーワード(2)(和/英) ニューラルネットワーク / Neural network  
キーワード(3)(和/英) シナプス / Synapse  
キーワード(4)(和/英) クロスポイント / Cross Point  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 賢将 / Toshimasa Hori / ホリ トシマサ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 遼 / Ryo Tanaka / タナカ リョウ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 古我 祐貴 / Yuki Koga / コガ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ
第4著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第5著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2016-12-12 16:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2016-29, SDM2016-110 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.354(EID), no.355(SDM) 
ページ範囲 pp.89-92 
ページ数
発行日 2016-12-05 (EID, SDM) 


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