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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-12-12 15:15 DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 ○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大）  EID2016-23 SDM2016-104 |
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| 抄録 | （和） | DNA/Si-MOSFET,及び,寄生容量制御可能なインバータ回路を作成しその入出力特性を調べた。シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り，DNAはギャップの間に付けた.VDD=0VとVDD=3Vの場合で出力特性に殆ど変化がなかった.理由は，DNA/Si-MOSFETが電荷捕獲放出により空間電荷可変領域を形成する事，可変寄生容量を形成する事と考えられる. |
| （英） | An input/output characteristics of the inverter composed of the DNA/Si-MOSFET and the parasitic capacity was studied. The DNA was bridged between the Si electrodes those serve as the source and drain with the 120nm-gap-length. At VDD = 0 V and VDD = 3V, the output characteristic was almost the same. The remain of this phenomenon is that the space charge layer of the DNA/Si-MOSFET charge due to the charge capture and emission and the parasitic capacitance charge synchronized with the gate voltage. | |
| キーワード | （和） | DNA/Si-MOSFET / インバータ / / / / / / |
| （英） | DNA/Si-MOSFET / inverter / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-104, pp. 63-66, 2016年12月. | |
| 資料番号 | SDM2016-104 | |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2016-23 SDM2016-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2016-12-12 - 2016-12-12 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon Related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | DNA/Si-MOSFET,寄生容量制御によるインバータ回路の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of the inverter circuit of DNA/Si-MOSFET due to the parasitic capacitance control |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA/Si-MOSFET / DNA/Si-MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | インバータ / inverter |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 響 / Hibiki Nakano / ナカノ ヒビキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Matsuo Naoto / マツオ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部屋 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山名 一成 / Kazusige Yamana / 山名 一成 |
| 第5著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 旦 / Tadashi Sato / サトウ タダシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Univ. Hiroshima) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン |
| 第7著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Univ. Hiroshima) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-12-12 15:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2016-23, SDM2016-104 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.354(EID), no.355(SDM) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-12-05 (EID, SDM) |
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